Блог компании Поставка STMicroelectronics Power Transistors STL33N60DM2 MOSFET N-Channel 600 V, 0.115 Ом типа.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd поставка STMicroelectronics STL33N60DM2 N-канальный FDmesh II PlusTM Power MOSFETs, совершенно новые и оригинальные, гарантированное качество!

Модель No: STL33N60DM2

Серия: MDmeshTM DM2

Статус продукта: в продаже

Тип FET: N-канал

Технология: MOSFET (оксид металла)

Напряжение источника оттока (Vdss): 600 В

Ток при 25°C - непрерывный отток (Id): 21A (Tc)

Напряжение привода (максимальное включение, минимальное включение): 10 В

Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 140 mOhm @ 10,5A, 10V

Vgs ((th) при различных Id (max): 5V @ 250μA

Заряд порта (Qg) (макс.) при Vgs: 43 nC @ 10 V

Vgs (макс.): ±25В

Входящая емкость (Ciss) при различных Vds (max): 1870 pF @ 100 V

Рассеивание мощности (макс.): 150 Вт (Тц)

Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)

Тип установки: поверхностная установка

Пакет устройств поставщика: PowerFlatTM (8x8) HV

Пакет / корпус: 8-PowerVDFN

Введение

Серия MDmesh DM2 от ST является новейшим семейством диодов быстрого восстановления ST, мощностью 600 В MOSFET, особенно подходящих для топологий мостов фазового сдвига ZVS. Они имеют очень небольшой заряд восстановления и время (Qrr,Высокая мощность dV/dt (40V/ns) обеспечивает более высокую надежность системы.

Особенности

• Низкий заряд шлюза и емкость ввода
• Нижняя площадь RDS ((on) x по сравнению с предыдущим поколением
• Низкое сопротивление ввода ворот
• Изготовлены для переключения приложений
• 100% испытание на лавину
• Защищенный Зенер
• Высокая способность к движению на дюйм и лавинам

Для получения дополнительной информации обратитесь к господину Чену по телефону:

Телефон: +86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Сайт:www.hkmjd.com