Блог компании Транзистор_двойной N-канальный_IAUCN10S5L094D_OptiMOSTM 5 100В Автомобильные MOSFET

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd Оригинальный оригинальный Infineon Transistors_Dual N-Channel_IAUCN10S5L094D_OptiMOSTM 5 100В Автомобильный MOSFET, 100В, 9,4 мΩ максимум, двойной SSO8 (5x6)

IAUCN10S5L094D Описание продукта

IAUCN10S5L094D представляет собой OptiMOSTM 5 100V автомобильный двойной MOSFET в надежном пакете SMD с двойным SSO8 5x6mm2. Он экономит площадь PCB, интегрируя два независимых MOSFET в один пакет.Он предназначен для высокой производительности, качество и прочность требуются для требовательных автомобильных приложений.

IAUCN10S5L094D Применение продукции

• Системы 48 В
• Управление двигателем 48 В (EPS, тормоза, подвески, HVAC, eTurbo)
• Нагрев 48 В (катализатор/eCAT, нагреватели PTC, очистка лобовых стекол) и другие вспомогательные нагрузки 48 В
• Электрическое силовое рулевое управление (EPS) 48 В
• Насосы 48 В и вентиляторы
• Переднее светодиодное освещение
• Впрыск бензина с несколькими портами
• Дизельное топливо с прямым впрыском
• Беспроводная зарядка в салоне
• Система управления аккумуляторами автомобилей
• Прямое впрыск бензина

IAUCN10S5L094D Атрибуты продукта

• Технология: MOSFET (оксид металла)
• Конфигурация: 2 N-канала
• Напряжение источника оттока (Vdss): 100 В
• Ток при 25°С - непрерывный отток (Id): 66A (Tj)
• При сопротивлении (макс) при различных идентификаторах, Vgs: 9,4 mOhm @ 30A, 10V
• Vgs ((th) при изменении Id (max): 2,2V @ 35μA
• Заряд шлюза (Qg) (макс.) при Vgs: 30nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) при Vds (max): 2180pF @ 50V
• Мощность - максимум: 96 Вт (Тц)
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Класс: автомобильный
• Квалификация: AEC-Q101
• Тип установки: поверхностная установка
• Пакет / корпус: 8-PowerTDFN
• Устройство поставщика: PG-TDSON-8-60

Если у вас есть какие-либо требования, пожалуйста, позвоните мистеру Чену:

Телефон: +86 13410018555

Электронная почта: sales@hkmjd.com

Главная страница:http://www.hkmjd.com/