Компания Mingjiada Electronics предлагает C3M0120065L со склада. Этот SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed использует передовой корпус TOLL, имеет сертификацию промышленного класса и работает в широком диапазоне температур от -40°C до +175°C.
Являясь ярким примером SiC MOSFET технологии третьего поколения Wolfspeed, C3M0120065L достигает значительной оптимизации потерь проводимости, характеристик переключения и плотности мощности.
C3M0120065L Основные характеристики
Модель C3M0120065L обеспечивает сверхнизкое сопротивление открытого состояния в платформе напряжения 650 В, с типичным значением всего 12 мΩ (при V_GS=18 В, I_D=20 А), поддерживая непрерывные токи стока до 118 А (при 25°C, T_C=100°C).
Низкое сопротивление открытого состояния: 157 мΩ (максимум) при 6,76 А, 15 В
Высокое напряжение пробоя: 650 В
Быстрое переключение: заряд затвора (Qg) всего 26 нКл при 15 В
Высокая термостойкость: диапазон температур перехода от -40°C до +175°C
Напряжение управления промышленного класса: +15 В/-5 В (рекомендуется), максимум ±19 В/-8 В
Модель C3M0120065L (TO-263-7) не только обеспечивает низкое тепловое сопротивление и низкую индуктивность выводов, но и включает в себя конструкцию с подключением источника Кельвина, что значительно снижает потери при переключении и подавляет звон в затворе.
C3M0120065L Технические преимущества
Разработанный на платформе SiC MOSFET технологии третьего поколения Wolfspeed, C3M0120065L обеспечивает исключительную общую эффективность системы и возможность работы на высоких частотах.
Его надежный диод обладает чрезвычайно низким зарядом обратного восстановления (типичное значение 66 нКл), что существенно снижает потери при переключении и повышает надежность системы.
По сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET, C3M0120065L демонстрирует более стабильные характеристики сопротивления открытого состояния и низкую паразитическую емкость во всем диапазоне температур, что облегчает разработку конструкций с высокой плотностью мощности.
C3M0120065L Атрибуты продукта
Производитель: Wolfspeed
Тип продукта: SiC MOSFET
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус / Корпус: TOLL
Полярность транзистора: N-канальный
Количество каналов: 1 канал
Vds - Напряжение пробоя сток-исток: 650 В
Id - Непрерывный ток стока: 21 А
Rds On - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: 157 мОм
Vgs - Напряжение затвор-исток: -8 В, +19 В
Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: 3,6 В
Qg - Заряд затвора: 26 нКл
Минимальная рабочая температура: -40°C
Максимальная рабочая температура: +175°C
Pd - Рассеиваемая мощность: 86 Вт
Режим канала: Улучшение
Области применения
Модель C3M0120065L идеально подходит для следующих применений:
Источники питания серверов и телекоммуникаций
Системы зарядки электромобилей (бортовые зарядные устройства (OBC), высоковольтные DC-DC преобразователи)
Системы накопления энергии (ИБП, системы управления батареями)
Солнечные инверторы
Промышленные источники питания
Информация о закупках
Компания Mingjiada Electronics гарантирует, что C3M0120065L является новым и оригинальным, с достаточным запасом для отправки в тот же день.
Модель C3M0120065L упакована в ленту и катушку (TR) и отрезана по длине (CT), с гибкими минимальными объемами заказа и доступными образцами.
Свяжитесь с нами
Для приобретения C3M0120065L или получения подробной документации по продукту, пожалуйста, свяжитесь с отделом силовых устройств Mingjiada Electronics:
Контактное лицо: г-н Чен
Тел: +86 13410018555
Электронная почта: sales@hkmjd.com
Веб-сайт: www.integrated-ic.com
Адрес компании: Rooms 1239-1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!
Russian
