Главная страница Продукция Автомобильные модули IGBT

Карбид кремния модули FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V половинный мост модуль

Name: Карбид кремния модули FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V половинный мост модуль
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(19356)

BT IC
(544)

Автомобильные модули IGBT
(1994)

Микроконтроллер MCU
(13654)

GaN IC
(75)

Чип процессора ИИ
(1179)

Вентильная матрица поля Programmable
(6734)

ИС Ethernet
(1010)

Коннекторы
(2856)

Микросхема памяти
(2450)

Датчик IC
(2238)

IoT-чип
(235)

5G-модуль
(132)

Обломок WiFi 6
(142)

Обломок Iphone IC
(55)

Беспроводной модуль связи
(3349)

Термостат регулятора температуры
(8)

Самые лучшие продукты

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

Карбид кремния модули FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V половинный мост модуль

Большие изображения : Карбид кремния модули FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V половинный мост модуль

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	Модуль
Время доставки:	5-8 дней работы
Условия оплаты:	T/T, L/C, западное соединение

контакт

Карбид кремния модули FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V половинный мост модуль

Описание

Номер части:	FF08MR12W1MA1B11ABPSA1	Тип полевого транзистора:	2 N-канала (двойной)
Напряжение сток-исток (Vdss):	1200В (1,2кВ)	Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C:	150А (ТДж)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs:	15В	Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds:	600В
Мощность - Макс.:	20 мВт (Тс)	Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (ТДж)
Выделить:	Модули кремниевого карбида MOSFET , Модули 1200V кремниевого карбида , модуль моста 1200V IGBT половинный

Карбид кремния модули FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V половинный мост модуль

Обзор FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 представляет собой полумостовой модуль 8 мОм, в котором реализован новый CoolSiC™Automotive MOSFET 1200 В, датчик температуры NTC и контактная технология PressFIT.С полной автомобильной квалификацией область применения CoolSIC™ теперь расширена до высоковольтных автомобильных приложений с высокими требованиями к эффективности и частоте переключения, таких как повышающие преобразователи высокого/высокого напряжения постоянного тока, многофазные инверторы и быстродействующие вспомогательные приводы. как компрессоры топливных элементов.

Атрибуты продукта FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

номер части	FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Статус продукта	Активный
Тип полевого транзистора	2 N-канальных (двойных)
Полевой транзистор	Карбид кремния (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200В (1,2кВ)
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	150А (ТДж)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9,8 мОм при 150 А, 15 В
Vgs(th) (макс.) @ Id	5,55 В при 90 мА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	15В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	600В
Мощность - Макс.	20 мВт (Тс)
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (ТДж)
Тип крепления	Крепление шасси
Пакет/кейс	Модуль
Пакет устройств поставщика	АГ-EASY1BM-2

Особенности FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Высокое пороговое напряжение затвора, предотвращающее паразитное включение Vth = 4,4 В
Напряжение возбуждения, совместимое с IGBT, VGS=-5 В / +15 В
Внутренний диод с низким обратным восстановлением
Низкая паразитная индуктивность 5 нГн
Напряжение блокировки 1200В
Низкие коммутационные потери
Низкий Qg и Crss
Твпл=150°С

Возможные области применения FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Автомобильные приложения
Гибридные и аккумуляторные электромобили
Коммерческая, строительная и сельскохозяйственная техника
Преобразователь постоянного тока высокого/высокого напряжения в постоянный
Главный инвертор
Вспомогательные приводы

Контуры упаковки FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Карбид кремния модули FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V половинный мост модуль 0

Вопросы-Ответы

В. Являются ли ваши продукты оригинальными?
О: Да, все продукты являются оригинальными, наша цель - новый оригинальный импорт.
Q: Какие сертификаты у вас есть?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и член ERAI.
В: Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Является ли образец бесплатным?
О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца зависит от вашего заказа или проекта.
В: Как отправить мой заказ?Это безопасно?
О: мы используем экспресс-доставку, такую как DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать предложенного вами экспедитора. Товары будут в хорошей упаковке и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта вашего заказа.
В: Что насчет времени выполнения?
О: мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если их нет на складе, мы подтвердим для вас время выполнения заказа в зависимости от количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт

Карбид кремния модули FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V половинный мост модуль

Карбид кремния модули FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V половинный мост модуль

Карбид кремния модули FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V половинный мост модуль

Модули кремниевого карбида MOSFET

Модули 1200V кремниевого карбида

модуль моста 1200V IGBT половинный

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,