logo
Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияАвтомобильные модули IGBT

Модули IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Все продукты

Обломок интегральной схемаы

(22156)

BT IC

(570)

Автомобильные модули IGBT

(2262)

Микроконтроллер MCU

(15277)

GaN IC

(272)

Чип процессора ИИ

(1313)

Вентильная матрица поля Programmable

(7068)

ИС Ethernet

(1089)

Коннекторы

(3521)

Микросхема памяти

(2623)

Датчик IC

(2604)

IoT-чип

(244)

5G-модуль

(160)

Обломок WIFI

(176)

Обломок Iphone IC

(54)

Беспроводной модуль связи

(3815)

Термостат регулятора температуры

(11)

Врезанные решения

(10088)
Самые лучшие продукты
Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Просмотрения клиента
Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

Модули IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Модули IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge
IGBT Modules FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge
Модули IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge Модули IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Большие изображения :  Модули IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: CN
Фирменное наименование: Original Factory
Сертификация: Lead free / RoHS Compliant
Номер модели: FS03MR12A6MA1BBPSA1
Документ: FS03MR12A6MA1BBPSA1.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10
Цена: Contact for Sample
Упаковывая детали: Модуль
Время доставки: 5-8 дней работы
Условия оплаты: T/T, L/C, западное соединение
контакт

Модули IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Описание
Номер части: ФС03МР12А6МА1ББПСА1 Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)
Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ) Мощность - Макс: 20 мВт
Операционная температура: -40 °C ~ 150 °C (TJ) Тип установки: Подвеска на шасси
Выделить:

Мотор управляет Mosfet IGBT Sic

,

Канал Mosfet IGBT 6N Sic

,

Канал модулей 6N IGBT 400A 1200V

Модули IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Массив 6N Канал 3 Фазовый мост

 

Подробное описание FS03MR12A6MA1BBPSA1

FS03MR12A6MA1BBPSA1 представляет собой очень компактный шестипакетный модуль (1200V/400A), оптимизированный для гибридных и электрических транспортных средств. Модуль питания реализует новый CoolSiCTM Automotive MOSFET 1200V,оптимизирован для применения электрического привода.

 

Атрибуты продукта FS03MR12A6MA1BBPSA1

Номер части:

FS03MR12A6MA1BBPSA1

Тип FET:

6 N-канал (3-фазный мост)

Тип установки:

Подвеска на шасси

Мощность - Макс:

20 мВт

Рабочая температура ((мин):

-40°C (TJ)

Операционная температура ((Max):

150°C (TJ)

 

Особенности FS03MR12A6MA1BBPSA1

  • Электрические характеристики
  • VDSS = 1200 В
  • ID nom = 400 A
  • Новый полупроводниковый материал - карбид кремния
  • Низкий RDSon
  • Низкие потери при переключении
  • Низкий Qg и Crss
  • Низкая индуктивная конструкция < 10nH
  • Tvj op = 150 °C
  • Механические характеристики
  • 4.2 кВ постоянного тока 1 секунда изоляция
  • Высокие расстояния ползания и пропускания
  • Компактный дизайн
  • Высокая плотность мощности
  • Прямая охлажденная PinFin базовая пластина
  • Высокопроизводительная керамика Si3N4
  • Элементы направления для PCB и холодильной установки
  • Встроенный датчик температуры NTC
  • Контактная технология PressFIT
  • Соответствует требованиям RoHS
  • Рама модуля UL 94 V0
  • Потенциальное применение


Автомобильные приложения FS03MR12A6MA1BBPSA1

  • Гибридные электромобили (H)
  • Двигатели
  • Коммерческие сельскохозяйственные транспортные средства

 

Описание FS03MR12A6MA1BBPSA1

Модули IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge 0

 

Частые вопросы
Вопрос: Ваши изделия оригинальные?
О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.
Вопрос: Какие у вас сертификаты?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.
Q:Вы можете поддерживать небольшое количество заказа или образцы?
A: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
Вопрос: Как отправить мой заказ?
A: Мы используем экспресс для отправки, например, DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукция будет в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.
Вопрос: Как насчет сроков?
A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.

Общий рейтинг

5.0
Основано на 50 отзывах об этом поставщике

Оценка

Ниже представлено распределение всех рейтингов:
5 звезды
100%
4 звезды
0%
3 звезды
0%
2 звезды
0%
1 звезды
0%

Все отзывы

D
Derek
Australia Mar 22.2026
Полезно (632)
Modules are new and original. Castellated pins are clean and well-formed. Professional packaging. Reliable seller.
J
Jarod
Malaysia Feb 19.2026
Полезно (600)
"Genuine and tested. EFR32BG13 works perfectly. Will buy again."
A
Akihiko
Japan Nov 19.2025
Полезно (1325)
"Genuine ASPEED BMC chip. Flashed and recognized without issues. Great price for original parts. A+ seller."
тег:

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Модуль 1200V порошка IGBT

Контактная информация
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA
модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v
Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A
Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси
Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт
около

Обломок интегральной схемаы

VN7008AJTR интегральная схема Чип высокий драйвер 96A высокие переключатели PowerSSO-16

ADG1433YCPZ интегральный микросхема чип iCMOSTM переключатель 4.7 Ом Промышленные CMOS аналоговые переключатели

LT6700CS6-1 Комплексная схема микроэлектрический низковольтный двойной сравнитель с 400mV ссылкой

ИС Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-линейный 6-портовый PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-линейный 16-портовый PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Аляска Ультра Гигабитные Ethernet PHY передатчики

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество Обломок интегральной схемаы поставщик. © 2022 - 2026 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.