logo
  • Russian
Главная страница ПродукцияОбломок интегральной схемаы

Пакет транзисторов TO-263-7 SiC MOSFET обломока 1200V SiC MOSFET интегральной схемы IMBG120R140M1H

Сертификация
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Просмотрения клиента
Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

Пакет транзисторов TO-263-7 SiC MOSFET обломока 1200V SiC MOSFET интегральной схемы IMBG120R140M1H

Пакет транзисторов TO-263-7 SiC MOSFET обломока 1200V SiC MOSFET интегральной схемы IMBG120R140M1H
IMBG120R140M1H Integrated Circuit Chip 1200V SiC MOSFET Transistors TO-263-7 Package
Пакет транзисторов TO-263-7 SiC MOSFET обломока 1200V SiC MOSFET интегральной схемы IMBG120R140M1H Пакет транзисторов TO-263-7 SiC MOSFET обломока 1200V SiC MOSFET интегральной схемы IMBG120R140M1H

Большие изображения :  Пакет транзисторов TO-263-7 SiC MOSFET обломока 1200V SiC MOSFET интегральной схемы IMBG120R140M1H

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: CN
Фирменное наименование: Original Factory
Сертификация: Lead free / RoHS Compliant
Номер модели: IMBG120R140M1H
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10
Цена: Contact for Sample
Упаковывая детали: PG-TO263-7-12
Время доставки: 5-8 рабочих дней
Условия оплаты: Т/Т, Л/К, западное соединение

Пакет транзисторов TO-263-7 SiC MOSFET обломока 1200V SiC MOSFET интегральной схемы IMBG120R140M1H

Описание
номер части: IMBG120R140M1H Тип полевого транзистора: N-канал
Технологии: Карбид кремния Упаковка: PG-TO263-7-12
Тип крепления: Поверхностное крепление Полевой транзистор: Стандарт
Выделить:

Микросхема интегральной схемы IMBG120R140M1H

,

микросхема интегральной схемы SiC MOSFET

,

транзисторы SiC MOSFET 1200 В

Интегральная микросхема IMBG120R140M1H 1200 В SiC Trench MOSFET Транзисторы в корпусе TO-263-7


СпецификацияИМБГ120Р140М1Х

Статус продукта

Активный

Тип полевого транзистора

N-канал

Технологии

SiCFET (карбид кремния)

Напряжение сток-исток (Vdss)

1200 В

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

18А (Тс)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

189 мОм при 6 А, 18 В

Vgs(th) (макс.) @ Id

5,7 В при 2,5 мА

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

13,4 нКл при 18 В

VGS (макс.)

+18В, -15В

Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds

491 пФ при 800 В

Полевой транзистор

Стандарт

Рассеиваемая мощность (макс.)

107 Вт (Тс)

Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (ТДж)

 

Особенности IMBG120R140M1H
Очень низкие коммутационные потери
Время выдержки короткого замыкания 3 мкс
Полностью управляемый dV/dt
Эталонное пороговое напряжение затвора, VGS(th) = 4,5 В
Устойчив к паразитному включению, может применяться напряжение затвора 0 В при выключении
Прочный корпус диода для жесткой коммутации
Технология соединения XT для лучших в своем классе тепловых характеристик
Путь утечки и зазор > 6,1 мм
Контакт Sense для оптимизации характеристик переключения

 

Преимущества IMBG120R140M1H
Повышение эффективности
Включение более высокой частоты
Повышенная удельная мощность
Снижение усилий по охлаждению
Снижение сложности и стоимости системы

 

Потенциальные области применения IMBG120R140M1H
Диски
Инфраструктура — Зарядное устройство
Генерация энергии - инвертор солнечной батареи и солнечный оптимизатор
Промышленные источники питания - Промышленные ИБП

 

Часто задаваемые вопросы
В. Являются ли ваши продукты оригинальными?
О: Да, все продукты являются оригинальными, наша цель - новый оригинальный импорт.
Q: Какие сертификаты у вас есть?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и член ERAI.
В: Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Является ли образец бесплатным?
О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца зависит от вашего заказа или проекта.
В: Как отправить мой заказ?Это безопасно?
О: мы используем экспресс-доставку, такую ​​​​как DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать предложенного вами экспедитора. Товары будут в хорошей упаковке и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта вашего заказа.
В: Что насчет времени выполнения?
О: мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если их нет на складе, мы подтвердим для вас время выполнения заказа в зависимости от количества вашего заказа.

Контактная информация
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты