logo
  • Russian
Главная страница ПродукцияОбломок интегральной схемаы

Транзисторы MOSFET карбида кремния обломока 33A интегральной схемы AIMBG120R060M1 TO-263-7

Сертификация
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Просмотрения клиента
Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

Транзисторы MOSFET карбида кремния обломока 33A интегральной схемы AIMBG120R060M1 TO-263-7

Транзисторы MOSFET карбида кремния обломока 33A интегральной схемы AIMBG120R060M1 TO-263-7
AIMBG120R060M1 Integrated Circuit Chip 33A Silicon Carbide MOSFET Transistors TO-263-7
Транзисторы MOSFET карбида кремния обломока 33A интегральной схемы AIMBG120R060M1 TO-263-7 Транзисторы MOSFET карбида кремния обломока 33A интегральной схемы AIMBG120R060M1 TO-263-7

Большие изображения :  Транзисторы MOSFET карбида кремния обломока 33A интегральной схемы AIMBG120R060M1 TO-263-7

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: CN
Фирменное наименование: Original Factory
Сертификация: Lead free / RoHS Compliant
Номер модели: АИМБГ120Р060М1
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10
Цена: Contact for Sample
Упаковывая детали: ТО-263-7
Время доставки: 5-8 рабочих дней
Условия оплаты: Т/Т, Л/К, западное соединение

Транзисторы MOSFET карбида кремния обломока 33A интегральной схемы AIMBG120R060M1 TO-263-7

Описание
номер части: АИМБГ120Р060М1 Упаковка: ТО263-7
Рабочая Температура: от -55°С до 175°С Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: 33 А Тип крепления: Поверхностное крепление
Выделить:

Микросхема интегральной схемы AIMBG120R060M1

,

транзисторы MOSFET 33A

,

транзисторы MOSFET из карбида кремния

Транзисторы MOSFET кремниевого карбида AIMBG120R060M1 33A микросхемы интегральной схемы TO-263-7

 

Описание AIMBG120R060M1

AIMBG120R060M1 — семейство SiC Mosfet 1200 В для автомобилей, разработанное для текущих и будущих бортовых зарядных устройств и приложений постоянного тока в гибридных и электрических транспортных средствах.
Карбидокремниевый полевой МОП-транзистор, созданный на основе современной траншейной технологии SiC в сочетании с технологией межсоединений .XT, специально разработан для удовлетворения высоких требований, предъявляемых автомобильной промышленностью в отношении надежности, качества и производительности.
Компактный корпус SMD D²PAK (PG-TO263-7) обеспечивает высокую степень автоматизации на производственном предприятии заказчика и дальнейшее снижение стоимости на уровне системы.


СпецификацияАИМБГ120Р060М1

Сисс

605 пФ

Сосс

30 пФ

Рабочая Температурамин Максимум

-55°С 175°С

пмалыш(@ ТА=25°С)Максимум

175 Вт

Вопросграмм

25 нКл

рДС (включено)(@ Tj = 25°C)

60 мОм

рthJC Максимум

1 К/Вт


Особенности AIMBG120R060M1

  • Революционный полупроводниковый материал — карбид кремния
  • Очень низкие коммутационные потери
  • Беспороговая характеристика состояния
  • 0В напряжение затвора выключения
  • Эталонное пороговое напряжение затвора, VGS(th)=4,5 В
  • Полностью управляемый dv/dt
  • Прочный коммутационный корпусной диод, готовый к синхронному выпрямлению
  • Потери при выключении, не зависящие от температуры
  • Контакт Sense для оптимизации характеристик переключения
  • Подходит для требований к утечке высокого напряжения
  • Технология соединения XT для лучших в своем классе тепловых характеристик

 

Часто задаваемые вопросы
В. Являются ли ваши продукты оригинальными?
О: Да, все продукты являются оригинальными, наша цель - новый оригинальный импорт.
Q: Какие сертификаты у вас есть?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и член ERAI.
В: Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Является ли образец бесплатным?
О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца зависит от вашего заказа или проекта.
В: Как отправить мой заказ?Это безопасно?
О: мы используем экспресс-доставку, такую ​​​​как DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать предложенного вами экспедитора. Товары будут в хорошей упаковке и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта вашего заказа.
В: Что насчет времени выполнения?
О: мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если их нет на складе, мы подтвердим для вас время выполнения заказа в зависимости от количества вашего заказа.

Контактная информация
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты