AIMBG120R120M1 Интегральная микросхема N Trench Single MOSFET Transistors

Микросхема интегральной схемы AIMBG120R120M1 N Trench Single MOSFET Transistors

Описание AIMBG120R120M1

АИМБГ120Р120М1Семейство SiC Mosfet 1200 В для автомобилей было разработано для текущих и будущих бортовых зарядных устройств и приложений постоянного тока в гибридных и электрических транспортных средствах. Компактный корпус D²PAK для поверхностного монтажа (PG-TO263-7) обеспечивает высокую степень автоматизации у заказчика. производственных мощностей и еще больше снижает стоимость на системном уровне.

Атрибуты продукта AIMBG120R120M1

ОсобенностиАИМБГ120Р120М1

• Повышение эффективности
• Включение более высокой частоты
• Повышенная удельная мощность
• Снижение усилий по охлаждению
• Снижение сложности и стоимости системы

Возможные примененияАИМБГ120Р120М1

• Бортовое зарядное устройство
• Преобразователь постоянного тока в постоянный

Часто задаваемые вопросы
В. Являются ли ваши продукты оригинальными?
О: Да, все продукты являются оригинальными, наша цель - новый оригинальный импорт.
Q: Какие сертификаты у вас есть?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и член ERAI.
В: Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Является ли образец бесплатным?
О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца зависит от вашего заказа или проекта.
В: Как отправить мой заказ?Это безопасно?
О: мы используем экспресс-доставку, такую ​​​​как DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать предложенного вами экспедитора. Товары будут в хорошей упаковке и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта вашего заказа.
В: Что насчет времени выполнения?
О: мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если их нет на складе, мы подтвердим для вас время выполнения заказа в зависимости от количества вашего заказа.