Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.
—— Нишикава из Японии
Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров.
превосходное сообщение, продукт как и ожидалось.
Я сильно рекомендую этому поставщику.
—— Луис из Соединенных Штатов
Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".
—— Ричард из Германии
Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.
—— Тим из Малайзии
Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.
—— Винсент из России
Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.
—— Нишикава из Японии
Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.
—— Сэм из Соединенных Штатов
Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.
—— Лина из Германии
Оставьте нам сообщение
Автомобильные IGBT-модули A2U12M12W2-F2 3-уровневая топология 1200V SiC Power MOSFET Power Module
Автомобильные IGBT-модули A2U12M12W2-F2 3-уровневая топология 1200V SiC Power MOSFET Power Module
Описание
номер части:
A2U12M12W2-F2
Упаковка:
Модуль
Входная емкость (Cies) @ Vce:
7 нФ при 800 В
Рабочая Температура:
175°C (TJ)
Тип крепления:
Держатель шасси
Конфигурация:
Трехуровневый инвертор
Автомобильные IGBT-модули A2U12M12W2-F2 3-уровневая топология 1200V SiC Power MOSFET Power Module
Описание A2U12M12W2-F2
Силовой модуль A2U12M12W2-F2 представляет собой часть топологии трехуровневого инвертора Т-типа, в которой используется передовая технология Power MOSFET на основе карбида кремния.В этом модуле A2U12M12W2-F2 используются инновационные свойства материала SiC с широкой запрещенной зоной и подложки с высокими тепловыми характеристиками.Результатом является исключительно низкое сопротивление во включенном состоянии на единицу площади и отличные характеристики переключения, практически не зависящие от температуры.
Атрибуты продукта A2U12M12W2-F2
Модули IGBT из карбида кремния
Полный мост
карбид кремния
1200 В
от -10 В до 22 В
Нажмите Fit
- 40 С
+ 150 С
Все характеристики A2U12M12W2-F2 3-уровневая топология Модуль питания ACEPACK 2 13 мОм типичного RDS(on) на каждый переключатель Напряжение изоляции 2,5 кВ (среднеквадратичное значение) сертифицировано UL. Встроенный датчик температуры NTC ДБК на основе Cu-Al2O3-Cu Контактные штифты с прессовой посадкой
Электрическая топология и описание контактов A2U12M12W2-F2
Вопросы-Ответы
В. Являются ли ваши продукты оригинальными?
О: Да, все продукты являются оригинальными, наша цель - новый оригинальный импорт.
Q: Какие сертификаты у вас есть?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и член ERAI.
В: Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Является ли образец бесплатным?
О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца зависит от вашего заказа или проекта.
В: Как отправить мой заказ?Это безопасно?
О: мы используем экспресс-доставку, такую как DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать предложенного вами экспедитора. Товары будут в хорошей упаковке и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта вашего заказа.
Ваше сообщение должно содержать от 20 до 3000 символов!
