Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

Обломок 60V интегральной схемаы транзистора TO-252-3 MOSFET силы канала IPD06P004N p

Name: Обломок 60V интегральной схемаы транзистора TO-252-3 MOSFET силы канала IPD06P004N p
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IPD06P004N
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(18856)

BT IC
(540)

Автомобильные модули IGBT
(1941)

Микроконтроллер MCU
(12765)

GaN IC
(51)

Чип процессора ИИ
(1179)

Вентильная матрица поля Programmable
(6647)

ИС Ethernet
(943)

Коннекторы
(2853)

Микросхема памяти
(2435)

Датчик IC
(2188)

IoT-чип
(235)

5G-модуль
(132)

Обломок WiFi 6
(142)

Обломок Iphone IC
(55)

Беспроводной модуль связи
(3322)

Термостат регулятора температуры
(8)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

Обломок 60V интегральной схемаы транзистора TO-252-3 MOSFET силы канала IPD06P004N p

Большие изображения : Обломок 60V интегральной схемаы транзистора TO-252-3 MOSFET силы канала IPD06P004N p

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	IPD06P004N

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	PG-TO252-3
Время доставки:	5-8 дней работы
Условия оплаты:	T/T, L/C, западное соединение

контакт

Обломок 60V интегральной схемаы транзистора TO-252-3 MOSFET силы канала IPD06P004N p

Описание

Part Number:	IPD06P004N	Drain to Source Voltage (Vdss):	60 V
Power Dissipation (Max):	63W (Tc)	Drive Voltage:	10V
Operating Temperature(Min):	-55°C (TJ)	Operating Temperature(Max):	175°C (TJ)
Выделить:	IPD06P004N , IPD06P004N Integrated Circuit Chip , P Channel Power MOSFET Transistor

Обломок 60V интегральной схемаы транзистора TO-252-3 MOSFET силы канала IPD06P004N p

Характер продукции IPD06P004N

IPD06P004N транзистор силы 60V OptiMOS - транзистор MOSFET P-канала, пакет PG-TO252-3 (поверхностный держатель).

Спецификация IPD06P004N

Номер детали	IPD06P004N
Тип FET	P-канал
Технология	MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)	60 v
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C	16.4A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)	10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs	90mOhm @ 16.4A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @	4V @ 710µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs	27 nC @ 10 v
Vgs (Макс)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds	1100 pF @ 30 v
Диссипация силы (Макс)	63W (Tc)
Рабочая температура	-55°C \| 175°C (TJ)
Устанавливать тип	Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика	PG-TO252-3
Пакет/случай	TO-252-3, DPak (2 руководства + платы), SC-63

Особенности обломока интегральной схемаы

P-канал
Verylowon-resistanceRDS (дальше)
100%avalanchetested
NormalLevel
Enhancementmode
Pb-freeleadplating; RoHScompliant

Блок-схема IPD06P004N

Обломок 60V интегральной схемаы транзистора TO-252-3 MOSFET силы канала IPD06P004N p 0

Другие электронные блоки в запасе

Номер детали	Пакет
EVQP7M01P	SMD
EW-432	SOT23-3
F720J158MMC	SMD
FC1610-TC-AJ0-01	QFP
FC1610-TC-AJ2-01	QFP
FDD8896	TO-252

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

Обломок 60V интегральной схемаы транзистора TO-252-3 MOSFET силы канала IPD06P004N p

Обломок 60V интегральной схемаы транзистора TO-252-3 MOSFET силы канала IPD06P004N p

Обломок 60V интегральной схемаы транзистора TO-252-3 MOSFET силы канала IPD06P004N p

IPD06P004N

IPD06P004N Integrated Circuit Chip

P Channel Power MOSFET Transistor

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,