Чип памяти IC MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA

IC памяти MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA поверхностная установка

Описание продуктаМТ3М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3

MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B - это высокоскоростная динамическая память с случайным доступом, внутренне сконфигурированная как 8-банковая DRAM для конфигурации x16 и 16-банковая DRAM для конфигураций x4 и x8.

СпецификацияМТ3М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3

ОсобенностиМетрополитен

• Увеличивает пропускную способность до 50% по сравнению с DDR3

• Низкий отток напряжения 1,2 В (ядро и В/В) уменьшает потребность в мощности памяти

Другие виды продукции

Частые вопросы

Вопрос: Ваши изделия оригинальные?
О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.
Вопрос: Какие у вас сертификаты?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.
Вопрос: Вы можете поддержать небольшое количество заказа или образцы?
О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
Вопрос: Как отправить мой заказ?
A: Мы используем экспресс для отправки, например, DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукция будет в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.
Вопрос: Как насчет сроков?
A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.