logo
Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияАвтомобильные модули IGBT

1200V держатель шасси модулей 20mW MOSFET кремниевого карбида транзисторов FS03MR12A6MA1B

Все продукты

Обломок интегральной схемаы

(20098)

BT IC

(544)

Автомобильные модули IGBT

(2163)

Микроконтроллер MCU

(14052)

GaN IC

(143)

Чип процессора ИИ

(1208)

Вентильная матрица поля Programmable

(6736)

ИС Ethernet

(1028)

Коннекторы

(3474)

Микросхема памяти

(2480)

Датчик IC

(2316)

IoT-чип

(235)

5G-модуль

(132)

Обломок WiFi 6

(142)

Обломок Iphone IC

(55)

Беспроводной модуль связи

(3389)

Термостат регулятора температуры

(8)
Самые лучшие продукты
Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Просмотрения клиента
Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

1200V держатель шасси модулей 20mW MOSFET кремниевого карбида транзисторов FS03MR12A6MA1B

1200V держатель шасси модулей 20mW MOSFET кремниевого карбида транзисторов FS03MR12A6MA1B
1200V Transistors FS03MR12A6MA1B Silicon Carbide MOSFET Modules 20mW Chassis Mount
1200V держатель шасси модулей 20mW MOSFET кремниевого карбида транзисторов FS03MR12A6MA1B 1200V держатель шасси модулей 20mW MOSFET кремниевого карбида транзисторов FS03MR12A6MA1B

Большие изображения :  1200V держатель шасси модулей 20mW MOSFET кремниевого карбида транзисторов FS03MR12A6MA1B

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: CN
Фирменное наименование: Original Factory
Сертификация: Lead free / RoHS Compliant
Номер модели: FS03MR12A6MA1B
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10
Цена: Contact for Sample
Упаковывая детали: Модуль
Время доставки: 5-8 дней работы
Условия оплаты: T/T, L/C, западное соединение
контакт

1200V держатель шасси модулей 20mW MOSFET кремниевого карбида транзисторов FS03MR12A6MA1B

Описание
Номер детали: FS03MR12A6MA1B СЕРИЯ: HybridPACK™
Технология: Кремниевый карбид (SiC) Конфигурация: N-канал 6 (трехфазный мост)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200В (1,2кВ) Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A (Tj)

1200V держатель шасси модулей 20mW MOSFET кремниевого карбида транзисторов FS03MR12A6MA1B

 

Характер продукции FS03MR12A6MA1B

Привод FS03MR12A6MA1B HybridPACK™ очень компактный модуль 6-пакета (1200V/400A) оптимизировал для гибрида и электротранспортов.

 

Спецификация FS03MR12A6MA1B

Номер детали
FS03MR12A6MA1B
Rds на (Макс) @ id, Vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
Id Vgs (th) (Макс) @
5.55V @ 240mA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs
1320nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
42500pF @ 600V
Сила - Макс
20mW
Рабочая температура
-40°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип
Держатель шасси
Пакет/случай
Модуль

 

Особенности FS03MR12A6MA1B

  • Новый материал полупроводника - кремниевый карбид
  • Преграждая напряжение тока 1200V
  • Низкое RDSon
  • Низкие переключая потери
  • Низкие Og и Crss
  • Низкий индуктивный дизайн <10nh>
  • Op= 150°C vj t

 

Применения FS03MR12A6MA1B

  • Автомобильные применения
  • Гибридное электрическое Vehides (h) EV
  • Приводы мотора

 

Принципиальная схема FS03MR12A6MA1B

1200V держатель шасси модулей 20mW MOSFET кремниевого карбида транзисторов FS03MR12A6MA1B 0

 

Другие типы продукта поставки

Номер детали Пакет
2SA1307-Y TO-220
IRLML0030TR SOT-23
APT150GN120JDQ4 SOT-227
BCP53T1G SOT-223
ATA006A0X-SR Модуль
SPB20N60S5 TO-263

 

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.

тег:

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Модуль 1200V порошка IGBT

Контактная информация
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA
модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v
Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A
Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси
Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт
около

Обломок интегральной схемаы

VN7008AJTR интегральная схема Чип высокий драйвер 96A высокие переключатели PowerSSO-16

ADG1433YCPZ интегральный микросхема чип iCMOSTM переключатель 4.7 Ом Промышленные CMOS аналоговые переключатели

LT6700CS6-1 Комплексная схема микроэлектрический низковольтный двойной сравнитель с 400mV ссылкой

ИС Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-линейный 6-портовый PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-линейный 16-портовый PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Аляска Ультра Гигабитные Ethernet PHY передатчики

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество Обломок интегральной схемаы поставщик. © 2022 - 2025 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.