Транзисторы транзисторов 8-PowerVDFN канала обломока FDMT80060DC n интегральной схемаы

Транзисторы транзисторов 8-PowerVDFN канала обломока FDMT80060DC n интегральной схемаы

 
Характер продукции FDMT80060DC

MOSFET FDMT80060DC N−Channel произведен используя процесс POWERTRENCH onsemi предварительный. Выдвижения как в кремнии, так и в ДВОЙНЫХ КРУТЫХ технологиях пакета были совмещены для предложения самого низкого rDS (дальше) пока поддерживая превосходное представление переключения весьма - низким сопротивлением Junction−to−Ambient термальным.

Спецификация FDMT80060DC

Особенности транзисторов

• Макс rDS (дальше) = 1,1 m на VGS = 10 v, ID = 43 a
• Макс rDS (дальше) = 1,3 m на VGS = 8 v, ID = 37 a
• Предварительная комбинация пакета и кремния для низкого rDS (дальше) и высокой эффективности
• Следующее поколени увеличило технологию диода тела, проектированную для мягкого спасения
• Пакет низкопрофильного 8x8 mm MLP
• Крепкое комплексное конструирование MSL1

Другие электронные блоки в запасе

вопросы и ответы
Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.