Главная страница Продукция Автомобильные модули IGBT

Модули MSC130SM120JCU3 Силовой модуль полностью из карбида кремния 1200 В, 173 А, N-канальный

Name: Модули MSC130SM120JCU3 Силовой модуль полностью из карбида кремния 1200 В, 173 А, N-канальный
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSC130SM120JCU3
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(18191)

BT IC
(521)

Автомобильные модули IGBT
(1884)

Микроконтроллер MCU
(12299)

GaN IC
(51)

Чип процессора ИИ
(1168)

Вентильная матрица поля Programmable
(6582)

ИС Ethernet
(938)

Коннекторы
(2853)

Микросхема памяти
(2435)

Датчик IC
(2166)

IoT-чип
(232)

5G-модуль
(132)

Обломок WiFi 6
(138)

Обломок Iphone IC
(55)

Беспроводной модуль связи
(3271)

Термостат регулятора температуры
(8)

Самые лучшие продукты

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

Модули MSC130SM120JCU3 Силовой модуль полностью из карбида кремния 1200 В, 173 А, N-канальный

Большие изображения : Модули MSC130SM120JCU3 Силовой модуль полностью из карбида кремния 1200 В, 173 А, N-канальный

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	MSC130SM120JCU3

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	SOT-227-4, miniBLOC
Время доставки:	5-8 дней работы
Условия оплаты:	T/T, L/C, западное соединение

контакт

Модули MSC130SM120JCU3 Силовой модуль полностью из карбида кремния 1200 В, 173 А, N-канальный

Описание

Номер детали:	MSC130SM120JCU3	Продукт:	Модули кремниевого карбида IGBT
Vf - пропускное напряжение:	1,5 v	Устанавливать стиль:	Держатели винта
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:	6040 pF @ 1000 v	Rds на - сопротивлении Сток-источника:	16 mOhms

Модули MSC130SM120JCU3 Полный силовой модуль 1200V 173A N-Channel карбида кремния

Описание продуктаMSC130SM120JCU3

MSC130SM120JCU3 представляет собой силовой модуль SiC MOSFET с понижающим прерывателем, 1200 В, 173 A, полный силовой модуль из карбида кремния.

СпецификацияMSC130SM120JCU3

номер части	MSC130SM120JCU3
Тип полевого транзистора	N-канал
Технологии	SiCFET (карбид кремния)
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	173А (ТС)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	20В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 мОм при 80 А, 20 В
Vgs(th) (макс.) @ Id	2,8 В при 2 мА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	464 нКл при 20 В
VGS (макс.)	+25В, -10В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	6040 пФ при 1000 В
Рассеиваемая мощность (макс.)	745 Вт (Тс)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (ТДж)
Тип крепления	Крепление шасси
Пакет устройств поставщика	СОТ-227 (ИЗОТОП®)
Пакет/кейс	СОТ-227-4, миниБЛОК

Электрическая схемаMSC130SM120JCU3

Модули MSC130SM120JCU3 Силовой модуль полностью из карбида кремния 1200 В, 173 А, N-канальный 0

Другие типы продуктов питания

номер части	Упаковка
МА46Х120	поверхностный слой
MIC38300HYHL	QFN28
ADUM2210SRWZ	ВСОП-16
СТ72Ф324К4Т6	QFP32
XC3S700AN-4FGG484I	BGA484
AD8155ACPZ	LFCSP64

Часто задаваемые вопросы

В: Являются ли ваши продукты оригинальными?
О: Да, все продукты являются оригинальными, наша цель - новый оригинальный импорт.
В: Какие сертификаты у вас есть?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и член ERAI.
В: Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Является ли образец бесплатным?
О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца зависит от вашего заказа или проекта.
В: Как отправить мой заказ?Это безопасно?
A: Мы используем экспресс-доставку, такую как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать предложенного вами экспедитора. Продукты будут в хорошей упаковке и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта вашего заказа.
В: Что насчет времени выполнения?
О: мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если их нет на складе, мы подтвердим для вас время выполнения заказа в зависимости от количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт

Модули MSC130SM120JCU3 Силовой модуль полностью из карбида кремния 1200 В, 173 А, N-канальный

Обломок интегральной схемаы

BT IC

Автомобильные модули IGBT

Микроконтроллер MCU

GaN IC

Чип процессора ИИ

Вентильная матрица поля Programmable

ИС Ethernet

Коннекторы

Микросхема памяти

Датчик IC

IoT-чип

5G-модуль

Обломок WiFi 6

Обломок Iphone IC

Беспроводной модуль связи

Термостат регулятора температуры

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Модули MSC130SM120JCU3 Силовой модуль полностью из карбида кремния 1200 В, 173 А, N-канальный

Модули MSC130SM120JCU3 Силовой модуль полностью из карбида кремния 1200 В, 173 А, N-канальный

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Модуль 1200V порошка IGBT

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Обломок интегральной схемаы

VN7008AJTR интегральная схема Чип высокий драйвер 96A высокие переключатели PowerSSO-16

ADG1433YCPZ интегральный микросхема чип iCMOSTM переключатель 4.7 Ом Промышленные CMOS аналоговые переключатели

LT6700CS6-1 Комплексная схема микроэлектрический низковольтный двойной сравнитель с 400mV ссылкой

ИС Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-линейный 6-портовый PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-линейный 16-портовый PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Аляска Ультра Гигабитные Ethernet PHY передатчики