Главная страница Продукция Автомобильные модули IGBT

Дискретные транзисторы держателя шасси модуля MSCSM170AM058CD3AG полупроводника

Name: Дискретные транзисторы держателя шасси модуля MSCSM170AM058CD3AG полупроводника
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM170AM058CD3AG
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(18191)

BT IC
(521)

Автомобильные модули IGBT
(1884)

Микроконтроллер MCU
(12299)

GaN IC
(51)

Чип процессора ИИ
(1168)

Вентильная матрица поля Programmable
(6582)

ИС Ethernet
(938)

Коннекторы
(2853)

Микросхема памяти
(2435)

Датчик IC
(2166)

IoT-чип
(232)

5G-модуль
(132)

Обломок WiFi 6
(138)

Обломок Iphone IC
(55)

Беспроводной модуль связи
(3271)

Термостат регулятора температуры
(8)

Самые лучшие продукты

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

Дискретные транзисторы держателя шасси модуля MSCSM170AM058CD3AG полупроводника

Большие изображения : Дискретные транзисторы держателя шасси модуля MSCSM170AM058CD3AG полупроводника

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	MSCSM170AM058CD3AG

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	Модуль
Время доставки:	5-8 дней работы
Условия оплаты:	T/T, L/C, западное соединение

контакт

Дискретные транзисторы держателя шасси модуля MSCSM170AM058CD3AG полупроводника

Описание

Номер детали:	MSCSM170AM058CD3AG	Устанавливать тип:	Крепление шасси
Рабочая температура:	-40°C ~ 175°C (ТДж)	Обязанность ворот:	1068nC
Сила - Макс:	1.642kW	Состояние продукта:	Активный

Дискретные транзисторы держателя шасси модуля MSCSM170AM058CD3AG полупроводника

Характер продукции MSCSM170AM058CD3AG

MSCSM170AM058CD3AG 1700 v, 124 сила module.MSCSM170AM058CD3AG MOSFET кремниевого карбида ноги участка a (SiC) работает на пропускном напряжении 1.3V (VF) на 90A, обратное напряжение 1.6kV (VR), и максимальное повторяющийся обратное напряжение 1600V.

Спецификация MSCSM170AM058CD3AG

Номер детали:	MSCSM170AM058CD3AG	Vdss:	1700V
Настоящий - непрерывный сток:	64A (Tc)	Пропускное напряжение диода:	3.7V
Обратная обязанность спасения:	1300nC	Полная емкость:	276pF

Применения MSCSM170AM058CD3AG

Заварка
Солнечный
Топление индукции
Медицинский
UPS

Другие типы продукта поставки

Номер детали	Пакет
STM32F429ZGY6TR	LQFP-144
STM32F439ZGY6TR	WLCSP144
ACS758LCB-050B	CB-5
ADC0848CCN	DIP-24
TCD1710DG	DIP22
SN74CBTLV3245ADBQR	SSOP20

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт

Дискретные транзисторы держателя шасси модуля MSCSM170AM058CD3AG полупроводника

Обломок интегральной схемаы

BT IC

Автомобильные модули IGBT

Микроконтроллер MCU

GaN IC

Чип процессора ИИ

Вентильная матрица поля Programmable

ИС Ethernet

Коннекторы

Микросхема памяти

Датчик IC

IoT-чип

5G-модуль

Обломок WiFi 6

Обломок Iphone IC

Беспроводной модуль связи

Термостат регулятора температуры

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Дискретные транзисторы держателя шасси модуля MSCSM170AM058CD3AG полупроводника

Дискретные транзисторы держателя шасси модуля MSCSM170AM058CD3AG полупроводника

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Модуль 1200V порошка IGBT

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Обломок интегральной схемаы

VN7008AJTR интегральная схема Чип высокий драйвер 96A высокие переключатели PowerSSO-16

ADG1433YCPZ интегральный микросхема чип iCMOSTM переключатель 4.7 Ом Промышленные CMOS аналоговые переключатели

LT6700CS6-1 Комплексная схема микроэлектрический низковольтный двойной сравнитель с 400mV ссылкой

ИС Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-линейный 6-портовый PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-линейный 16-портовый PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Аляска Ультра Гигабитные Ethernet PHY передатчики