Главная страница Продукция Автомобильные модули IGBT

модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный

Name: модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM170HM23CT3AG
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(18424)

BT IC
(524)

Автомобильные модули IGBT
(1938)

Микроконтроллер MCU
(12433)

GaN IC
(51)

Чип процессора ИИ
(1169)

Вентильная матрица поля Programmable
(6583)

ИС Ethernet
(939)

Коннекторы
(2853)

Микросхема памяти
(2435)

Датчик IC
(2168)

IoT-чип
(232)

5G-модуль
(132)

Обломок WiFi 6
(138)

Обломок Iphone IC
(55)

Беспроводной модуль связи
(3301)

Термостат регулятора температуры
(8)

Самые лучшие продукты

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный

Большие изображения : модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	MSCSM170HM23CT3AG

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	Модуль
Время доставки:	5-8 дней работы
Условия оплаты:	T/T, L/C, западное соединение

контакт

модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный

Описание

Номер детали:	MSCSM170HM23CT3AG	Диссипация силы TC = °C 25:	602W (Макс)
Сток-источник НА сопротивлении (Макс):	22.5mΩ	Течение утечки Ворот-источника (VGS = 20 v; VDS = 0 V):	200nA (Макс)
Внутреннее сопротивление вентильного провода (тип):	2.93Ω	сопротивление Соединени-к-случая термальное (Макс):	0.25°C/W

модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный

Характер продукции MSCSM170HM23CT3AG

MSCSM170HM23CT3AG полный модуль силы MOSFET SiC моста, 1700 v, модуль массива Mosfet кремниевого карбида 124 a (SiC).

Спецификация MSCSM170HM23CT3AG

Номер детали	MSCSM170HM23CT3AG
Технология	Кремниевый карбид (SiC)
Конфигурация	N-канал 4 (полный мост)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)	1700V (1.7kV)
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C	124A (Tc)
Rds на (Макс) @ id, Vgs	22.5mOhm @ 60A, 20V
Id Vgs (th) (Макс) @	3.2V @ 5mA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs	356nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds	6600pF @ 1000V
Сила - Макс	602W (Tc)
Рабочая температура	-40°C \| 175°C (TJ)
Устанавливать тип	Держатель шасси
Пакет/случай	Модуль

Электрическая схема MSCSM170HM23CT3AG

модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный 0

Другие типы продукта поставки

Номер детали	Пакет
UCC24610DRBR	SON8
TPS65286RHDR	VQFN28
ADS1294IPAG	TQFP64
DS90LV017ATMX	SOP-8
NTD4906NT4G	TO-252
EL5420CRZ	TSSOP14

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт

модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный

Обломок интегральной схемаы

BT IC

Автомобильные модули IGBT

Микроконтроллер MCU

GaN IC

Чип процессора ИИ

Вентильная матрица поля Programmable

ИС Ethernet

Коннекторы

Микросхема памяти

Датчик IC

IoT-чип

5G-модуль

Обломок WiFi 6

Обломок Iphone IC

Беспроводной модуль связи

Термостат регулятора температуры

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный

модуль силы 602W MOSFET SiC моста массива MSCSM170HM23CT3AG Mosfet 4N-Channel полный

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Модуль 1200V порошка IGBT

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Обломок интегральной схемаы

VN7008AJTR интегральная схема Чип высокий драйвер 96A высокие переключатели PowerSSO-16

ADG1433YCPZ интегральный микросхема чип iCMOSTM переключатель 4.7 Ом Промышленные CMOS аналоговые переключатели

LT6700CS6-1 Комплексная схема микроэлектрический низковольтный двойной сравнитель с 400mV ссылкой

ИС Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-линейный 6-портовый PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-линейный 16-портовый PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Аляска Ультра Гигабитные Ethernet PHY передатчики