транзисторы TO-263-8 MOSFET N-канала MOSFET IMBG120R045M1H канавы 1200V SiC

транзисторы TO-263-8 MOSFET N-канала MOSFET IMBG120R045M1H канавы 1200V SiC

Характер продукции IMBG120R045M1H

IMBG120R045M1H MOSFET канавы CoolSiC™ 1200V SiC с технологией соединения .XT.

Спецификация IMBG120R045M1H

Особенности IMBG120R045M1H

• Короткое замыкание выдерживает µs времени 3
• Полностью controllable dV/dt
• Напряжение тока порога ворот отметки уровня, VGS (th) = 4.5V
• Крепкий против паразитного поверните дальше, напряжение тока ворот поворота- 0V смогите быть приложено
• Крепкий диод тела для трудного коммутирования

Другие электронные блоки в запасе

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.