Транзисторы TO-263-8 обломока IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT интегральной схемаы

Транзисторы TO-263-8 обломока IMBG120R090M1H Trenchstop IGBT интегральной схемаы

Характер продукции IMBG120R090M1H

IMBG120R090M1H MOSFET канавы CoolSiC™ 1200V SiC, N-канал 1200V 26A, поверхностный держатель, пакет TO-263-8, ² Пак d (7 руководства + плат).

Спецификация IMBG120R090M1H

Особенности IMBG120R090M1H

• Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200 v
• Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 26A (Tc)
• Rds на (Макс) @ id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
• Id Vgs (th) (Макс) @: 5.7V @ 3.7mA

Другие электронные блоки в запасе

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.