Микросхемы памяти 24-FBGA обломока 128Mbit PSRAM интегральной схемаы S70KS1282GABHV020

Микросхемы памяти 24-FBGA обломока S70KS1282GABHV020 128Mbit PSRAM интегральной схемаы

Характер продукции S70KS1282GABHV020

S70KS1282GABHV020 128Mb HYPERRAM™ обломок штабелировать-плашки используя 2 64 кости Mb. Только одно умирает одновременно можно запрограммировать войти гибридный режим сна или глубокий режим силы вниз.

Спецификация S70KS1282GABHV020

Особенности S70KS1282GABHV020

• Взрыв прочитал или пишет (линейный взрыв на 200 MHz, 1,8 v): 50 мам
• Положение боевой готовности (CS# = VCC = 3,6 v, 105°C): µA 750
• Глубокая сила вниз (CS# = VCC = 3,6 v, 105°C): µA 360
• Входной сигнал во время пишет сделки как пишет маска данных
• Опционная ГДР центр-выровняла прочитанный строб (DCARS)

Другие электронные блоки в запасе

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.