Главная страница Продукция Автомобильные модули IGBT

канал NXH300B100H4Q2F2PG модулей 3 диафрагмы поля зрения двойной IGBT канавы 194W

Name: канал NXH300B100H4Q2F2PG модулей 3 диафрагмы поля зрения двойной IGBT канавы 194W
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXH300B100H4Q2F2PG
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(18861)

BT IC
(540)

Автомобильные модули IGBT
(1941)

Микроконтроллер MCU
(12765)

GaN IC
(51)

Чип процессора ИИ
(1179)

Вентильная матрица поля Programmable
(6647)

ИС Ethernet
(943)

Коннекторы
(2853)

Микросхема памяти
(2435)

Датчик IC
(2188)

IoT-чип
(235)

5G-модуль
(132)

Обломок WiFi 6
(142)

Обломок Iphone IC
(55)

Беспроводной модуль связи
(3322)

Термостат регулятора температуры
(8)

Самые лучшие продукты

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

канал NXH300B100H4Q2F2PG модулей 3 диафрагмы поля зрения двойной IGBT канавы 194W

Большие изображения : канал NXH300B100H4Q2F2PG модулей 3 диафрагмы поля зрения двойной IGBT канавы 194W

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	NXH300B100H4Q2F2PG

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	модуль 27-PowerDIP
Время доставки:	5-8 дней работы
Условия оплаты:	T/T, L/C, западное соединение

контакт

канал NXH300B100H4Q2F2PG модулей 3 диафрагмы поля зрения двойной IGBT канавы 194W

Описание

Номер детали:	NXH300B100H4Q2F2PG	Рабочая температура:	-40°C \| 175°C (TJ)
Термистор SNTC bcategory:	Да	Устанавливать тип:	Крепление шасси
Пакет прибора поставщика:	27-PIM (71x37.4)	Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:	1 kV
Выделить:	модули 194W двойные IGBT , 1118V двойное IGBT , Диафрагма поля зрения канавы NXH300B100H4Q2F2PG

канал NXH300B100H4Q2F2PG модулей 3 диафрагмы поля зрения двойной IGBT канавы 194W

3 модуля 1118V диафрагмы поля зрения двойных IGBT канавы канала NXH300B100H4Q2F2PG 194W

Характер продукции NXH300B100H4Q2F2PG

NXH300B100H4Q2F2PG это high−density, интегрированный модуль силы совмещает high−performance IGBTs с диодом 1200 v SiC.

Спецификация NXH300B100H4Q2F2PG

Номер детали	NXH300B100H4Q2F2PG
Тип IGBT	Диафрагма поля зрения канавы
Конфигурация	Двойной, общедоступный источник
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс)	1118 v
Настоящий - сборник (Ic) (Макс)	73 a
Сила - Макс	194 w
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic	2.25V @ 15V, 100A
Настоящий - выключение сборника (Макс)	µA 800
Входная емкость (Cies) @ Vce	6,323 nF @ 20 v
Входной сигнал	Стандарт

Особенности NXH300B100H4Q2F2PG

Низкий индуктивный план
3−channel в пакете Q2BOOST
Дизайн модуля предлагает плотность наивысшей мощности
Весьма эффективная канава с технологией диафрагмы поля зрения
Низкая переключая потеря уменьшает диссипацию силы системы
Эти приборы Pb−Free

Другие электронные блоки в запасе

Номер детали	Пакет
IMBG65R163M1HXTMA1	TO-263-7
IMBG65R083M1HXTMA1	TO-263-7
BSZ036NE2LSATMA1	TDSON-8
IPBE65R075CFD7AATMA1	TO-263-7
TXB0102YZPR	DSBGA-8
TLV707185DQNR	X2SON-4

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт

канал NXH300B100H4Q2F2PG модулей 3 диафрагмы поля зрения двойной IGBT канавы 194W

канал NXH300B100H4Q2F2PG модулей 3 диафрагмы поля зрения двойной IGBT канавы 194W

канал NXH300B100H4Q2F2PG модулей 3 диафрагмы поля зрения двойной IGBT канавы 194W

модули 194W двойные IGBT

1118V двойное IGBT

Диафрагма поля зрения канавы NXH300B100H4Q2F2PG

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,