Главная страница Продукция Автомобильные модули IGBT

Мост модуля 650V h водителя IGBT силы NXV65HR82DZ1 16-SSIP

Name: Мост модуля 650V h водителя IGBT силы NXV65HR82DZ1 16-SSIP
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: NXV65HR82DZ1
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(18861)

BT IC
(540)

Автомобильные модули IGBT
(1941)

Микроконтроллер MCU
(12765)

GaN IC
(51)

Чип процессора ИИ
(1179)

Вентильная матрица поля Programmable
(6647)

ИС Ethernet
(943)

Коннекторы
(2853)

Микросхема памяти
(2435)

Датчик IC
(2188)

IoT-чип
(235)

5G-модуль
(132)

Обломок WiFi 6
(142)

Обломок Iphone IC
(55)

Беспроводной модуль связи
(3322)

Термостат регулятора температуры
(8)

Самые лучшие продукты

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

Мост модуля 650V h водителя IGBT силы NXV65HR82DZ1 16-SSIP

Большие изображения : Мост модуля 650V h водителя IGBT силы NXV65HR82DZ1 16-SSIP

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	NXV65HR82DZ1

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	16-SSIP
Время доставки:	5-8 дней работы
Условия оплаты:	T/T, L/C, западное соединение

контакт

Мост модуля 650V h водителя IGBT силы NXV65HR82DZ1 16-SSIP

Описание

Номер детали:	NXV65HR82DZ1	Тип:	MOSFET
Конфигурация:	H-мост	Vgs - напряжение тока Ворот-источника:	- 20 V, + 20 V
Qg - обязанность ворот:	79,7 nC	Напряжение тока - изоляция:	5000Vrms
Выделить:	Модуль водителя IGBT силы , 16-SSIP модуль водителя IGBT , NXV65HR82DZ1

Мост модуля 650V h водителя IGBT силы NXV65HR82DZ1 16-SSIP

Автомобильный H-мост модуля 650V водителя силы модулей NXV65HR82DZ1 16-SSIP IGBT

Характер продукции NXV65HR82DZ1

NXV65HR82DZ1 модуль силы MOSFET H-моста автомобильный в серии APM16 для LLC и Участк-перенесенного конвертера DC-DC.

Спецификация NXV65HR82DZ1

Номер детали:	NXV65HR82DZ1
Технология:	Si
Устанавливать стиль:	Через отверстие
Пакет/случай:	APMCA-16
Полярность транзистора:	N-канал
Количество каналов:	Канал 4
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:	650 v
Id - непрерывное течение стока:	26 a
Rds на - сопротивлении Сток-источника:	82 mOhms

Особенности NXV65HR82DZ1

Модуль силы H−Bridge ГЛОТОЧКА или ПОГРУЖЕНИЯ для заряжателя On−board (OBC) в EV или PHEV
5 kV/1 s электрически изолировали субстрат для легкого собрания
Creepage и зазор в IEC60664−1, IEC 60950−1
Компактный дизайн для низкого полного сопротивления модуля

Другие электронные блоки в запасе

Номер детали	Пакет
DS26528G	BGA
SFH4250	SMD1210
MC908GP32CFBE	LQFP44
LM4510SD	WSON10
W83310G	SOP-8
TK83361MTL	SOP16

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт

Мост модуля 650V h водителя IGBT силы NXV65HR82DZ1 16-SSIP

Мост модуля 650V h водителя IGBT силы NXV65HR82DZ1 16-SSIP

Мост модуля 650V h водителя IGBT силы NXV65HR82DZ1 16-SSIP

Модуль водителя IGBT силы

16-SSIP модуль водителя IGBT

NXV65HR82DZ1

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,