Обломок MT29F2G08ABBEAH4-AITX интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти e 2Gbit параллельные

Обломок MT29F2G08ABBEAH4-AITX интегральной схемаы: Обломоки флэш-памяти e 2Gbit параллельные

Характер продукции MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E параллельная ВСПЫШКА 2Gbit - память IC NAND, он может хранить 1 бит данных в ячейку памяти с быстрым чтением и писать возможности.

Спецификация MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

Особенности MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

• Самое последнее поколение 25nm NAND
• 1-bit данных в ячейку памяти с быстрым чтением и написать возможности
• Предлагает быстрые времена ботинка, превосходную выносливость, надежность

Другие электронные блоки в запасе

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.