Главная страница Продукция Автомобильные модули IGBT

MSCSM120HM31CTBL2NG Автомобильные модули IGBT N-Channel Mosfet Array Транзисторы

Name: MSCSM120HM31CTBL2NG Автомобильные модули IGBT N-Channel Mosfet Array Транзисторы
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120HM31CTBL2NG
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(18861)

BT IC
(540)

Автомобильные модули IGBT
(1941)

Микроконтроллер MCU
(12765)

GaN IC
(51)

Чип процессора ИИ
(1179)

Вентильная матрица поля Programmable
(6647)

ИС Ethernet
(943)

Коннекторы
(2853)

Микросхема памяти
(2435)

Датчик IC
(2188)

IoT-чип
(235)

5G-модуль
(132)

Обломок WiFi 6
(142)

Обломок Iphone IC
(55)

Беспроводной модуль связи
(3322)

Термостат регулятора температуры
(8)

Самые лучшие продукты

Средние модули Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 двойные трехфазные PIM IGBT силы

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 энергия модуля 950V 70A участка IGBT фотовольтайческая

Автомобильный модуль модулей FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A двойной IGBT IGBT

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

MSCSM120HM31CTBL2NG Автомобильные модули IGBT N-Channel Mosfet Array Транзисторы

Большие изображения : MSCSM120HM31CTBL2NG Автомобильные модули IGBT N-Channel Mosfet Array Транзисторы

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	MSCSM120HM31CTBL2NG

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	модуль
Время доставки:	5-8 дней работы
Условия оплаты:	T/T, L/C, западное соединение

контакт

MSCSM120HM31CTBL2NG Автомобильные модули IGBT N-Channel Mosfet Array Транзисторы

Описание

Номер части:	MSCSM120HM31CTBL2NG	Rds на (Макс) @ id, Vgs:	31mOhm @ 40A, 20V
Id Vgs (th) (Макс) @:	2.8V @ 1mA	Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs:	232nC @ 20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds:	3020pF @ 1000V	Сила - Макс:	310W
Выделить:	MSCSM120HM31CTBL2NG , MSCSM120HM31CTBL2NG Автомобильные модули IGBT

Модули IGBT для автомобилей MSCSM120HM31CTBL2NG N-Channel Mosfet Array Транзисторы

Описание продукции MSCSM120HM31CTBL2NG

Устройство MSCSM120HM31CTBL2NG представляет собой модуль питания MOSFET на 1200 V/79 A карбида кремния (SiC).

Спецификация MSCSM120HM31CTBL2NG

Номер части	MSCSM120HM31CTBL2NG
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds	3020pF @ 1000V
Мощность - Макс	310 Вт
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

ОсобенностиMSCSM120HM31CTBL2NG

Диод SiC Schottky
Никакая обратная окупаемость
Нулевое восстановление вперед

Другие виды продукции

Номер части	Пакет
KMK5X000YM-B314	BGA
TDA8946AJ	ZIP-17
ADA4091-4ARUZ	TSSOP14
AT45DB642D-TU	ТССОП-28
MAX1280BCUP	TSSOP20
ST62T01CM6	SOP16

Частые вопросы

Вопрос: Ваши изделия оригинальные?
О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.
Вопрос: Какие у вас сертификаты?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.
Вопрос: Вы можете поддержать небольшое количество заказа или образцы?
О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
Вопрос: Как отправить мой заказ?
A: Мы используем экспресс для отправки, например, DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукция будет в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.
Вопрос: Как насчет сроков?
A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

модуль FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Mosfet модулей 1200V Sic 400A автомобильный IGBT

Стеките к напряжению тока источника (Vdss): 1200V (1.2kV)

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C: 400A

Rds на (Макс) @ id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Id Vgs (th) (Макс) @: 5.55V @ 240mA

модуль F3L400R10W3S7B11BPSA1 модулей 3 ровный IGBT 950V 400A автомобильные IGBT

Номер части: Ф3Л400Р10В3С7Б11БПСА1

Тип IGBT: Канава

Статус продукта: Активный

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 950 v

Диафрагма поля зрения канавы модуля 950V 310A F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс): 950 v

Настоящий - сборник (Ic) (Макс): 310 a

Сила - Макс: 20 mW

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

Модули FS05MR12A6MA1BBPSA1 модулей силы 1200V кремниевого карбида HEV 200A автомобильные

Особенность FET: Силиконовый карбид (SiC)

Напряжение отхода к источнику (Vdss): 1200В (1,2кВ)

Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: 200А

Тип установки: Подвеска на шасси

Автомобильные модули IGBT FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Half Bridge IGBT Module

Номер части: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.): 750 v

Ток - коллектор (Ic) (макс.): 200 А

Мощность - Макс: 20 мВт

MSCSM120HM31CTBL2NG Автомобильные модули IGBT N-Channel Mosfet Array Транзисторы

MSCSM120HM31CTBL2NG Автомобильные модули IGBT N-Channel Mosfet Array Транзисторы

MSCSM120HM31CTBL2NG Автомобильные модули IGBT N-Channel Mosfet Array Транзисторы

MSCSM120HM31CTBL2NG

MSCSM120HM31CTBL2NG Автомобильные модули IGBT

Автомобильные модули 400A IGBT,

Модуль силы FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,