Транзисторы 650V ранга IGBT обломока STG200M65F2D8AG интегральной схемаы автомобильные

Транзисторы 650V ранга IGBT обломока STG200M65F2D8AG интегральной схемаы автомобильные

Характер продукции STG200M65F2D8AG

STG200M65F2D8AG Автомобильн-степень 650V, серия малопотертое IGBT диафрагмы поля зрения m ворот канавы 200A умирает в упаковке D8.

Спецификация STG200M65F2D8AG

Особенности STG200M65F2D8AG

• Малопотертая серия IGBT
• Низкое (сидеть) VCE = 1,55 v (тип.) на IC = 200 a
• Положительный коэффициент температуры VCE (сидел)
• Плотное распределение параметра
• Максимальная температура соединения: TJ = °C 175
• время минимального короткого замыкания 6 µs выдерживая на TJ = 150°C

Другие электронные блоки в запасе

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.