Обломок TW070J120B интегральной схемаы, транзисторы TO-3P-3 MOSFETs N-канала S1Q

Обломок TW070J120B интегральной схемаы, транзисторы TO-3P-3 MOSFETs N-канала S1Q

Характер продукции TW070J120B, S1Q

TW070J120B, S1Q транзисторы MOS N-канала кремниевого карбида, до отверстие TO-3P (n).

Спецификация TW070J120B, S1Q

Особенности TW070J120B, S1Q

• Режим повышения
• Дизайн микросхемы 2-ого поколения (встроенный диод барьера SiC schottky)
• Низкое пропускное напряжение диода: VDSF = -1,35 v (тип.)
• Высокое напряжение: VDSS = 1200 V
• Низкое на-сопротивление сток-источника: MΩ 70 RDS (ДАЛЬШЕ) = (тип.)
• Более менее впечатлительный работать неправильно должный к напряжению тока высокого порога: Vth = 4,2 до 5,8 v (VDS = 10 v, i d = 20 мам)

Другие электронные блоки в запасе

вопросы и ответы

Q: Ваши продукты первоначальны?
: Да, все продукты первоначальный, новый первоначальный импорт наша цель.
Q: Которые сертификаты вы имеете?
: Мы компания ISO и член аттестованные 9001:2015 ERAI.
Q: Можете вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец свободен?
: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Цена образца различна согласно вашим заказу или проекту.
Q: Как грузить мой заказ? Безопасно?
: Мы используем срочный для того чтобы грузить, как DHL, Federal Express, UPS, TNT, EMS.We можем также использовать вашего предложенного товароотправителя. Продукты находятся в хорош пакуя и обеспечить безопасность и нас ответственен к повреждению продукта к вашему заказу.
Q: Как насчет времени выполнения?
: Мы можем грузить части запаса не позднее 5 рабочих дней. Если без запаса, мы подтвердим время выполнения для вас основали на вашем количестве заказа.