Чип интегральной схемы STGW25M120DF3 1200V IGBT транш-полевые транзисторы TO-247-3

Чип интегральной схемы STGW25M120DF3 1200V IGBT транш-полевые транзисторы TO-247-3

Описание продукта STGW25M120DF3

STGW25M120DF3 - это IGBT, разработанный с использованием продвинутой собственной структуры траншеи.которые обеспечивают оптимальный баланс между производительностью и эффективностью системы инверторов, где существенны функциональность низких потерь и короткого замыкания..

Спецификация STGW25M120DF3

Особенности STGW25M120DF3

• Максимальная температура соединения: TJ = 175 °C

• Время выдержки короткого замыкания 10 мкс

• Низкий VCE ((sat) = 1,85 V (типичный) @ IC = 25 A

• Тонкое распределение параметров

• Положительный температурный коэффициент VCE (sat)

• Низкое тепловое сопротивление

• Антипараллельный диод с мягким и быстрым восстановлением

Применение STGW25M120DF3

• Промышленные приводы

• УВС

• Солнечные

• Сварка

Другие электронные компоненты на складе

Частые вопросы
Вопрос: Ваши изделия оригинальные?
О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.
Вопрос: Какие у вас сертификаты?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.
Вопрос: Вы можете поддержать небольшое количество заказа или образцы?
О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
Вопрос: Как отправить мой заказ?
A: Мы используем экспресс для отправки, например, DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукция будет в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.
Вопрос: Как насчет сроков?
A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.