logo
Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияGaN IC

IGT60R070D1 GaN IC 600V Мощный транзистор с 55 mΩ RDS ((on) и Ультрабыстрым переключением для высокой эффективности

Все продукты

Обломок интегральной схемаы

(28757)

BT IC

(577)

Автомобильные модули IGBT

(2395)

Микроконтроллер MCU

(16981)

GaN IC

(321)

Чип процессора ИИ

(1353)

Вентильная матрица поля Programmable

(7070)

ИС Ethernet

(1207)

Коннекторы

(3703)

Микросхема памяти

(2916)

Датчик IC

(3215)

IoT-чип

(267)

5G-модуль

(160)

Обломок WIFI

(201)

Обломок Iphone IC

(54)

Беспроводной модуль связи

(3882)

Термостат регулятора температуры

(11)

Врезанные решения

(10093)
Сертификация
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Просмотрения клиента
Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

IGT60R070D1 GaN IC 600V Мощный транзистор с 55 mΩ RDS ((on) и Ультрабыстрым переключением для высокой эффективности

IGT60R070D1 GaN IC 600V Мощный транзистор с 55 mΩ RDS ((on) и Ультрабыстрым переключением для высокой эффективности
IGT60R070D1 GaN IC 600V Power Transistor with 55 mΩ RDS(on) and Ultrafast Switching for High Efficiency
IGT60R070D1 GaN IC 600V Мощный транзистор с 55 mΩ RDS ((on) и Ультрабыстрым переключением для высокой эффективности IGT60R070D1 GaN IC 600V Мощный транзистор с 55 mΩ RDS ((on) и Ультрабыстрым переключением для высокой эффективности IGT60R070D1 GaN IC 600V Мощный транзистор с 55 mΩ RDS ((on) и Ультрабыстрым переключением для высокой эффективности

Большие изображения :  IGT60R070D1 GaN IC 600V Мощный транзистор с 55 mΩ RDS ((on) и Ультрабыстрым переключением для высокой эффективности

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: КН
Фирменное наименование: Original Factory
Сертификация: Lead free / RoHS Compliant
Номер модели: ИГТ60Р070Д1
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10
Цена: Contact for Sample
Упаковывая детали: ПГ-ХСОФ-8-3
Время доставки: 3-5 рабочих дней
Условия оплаты: ТТ
Поставка способности: 10000 штук в день
контакт

IGT60R070D1 GaN IC 600V Мощный транзистор с 55 mΩ RDS ((on) и Ультрабыстрым переключением для высокой эффективности

Описание
Номер детали: ИГТ60Р070Д1 ID (@ TA=25°C) макс.: 31 a
IDпульс (@25°C) макс.: 60 а Ptot максимальное: 125 Вт
Qg: 5.8 nC RDS (вкл.) (тип.): 55 мОм

IGT60R070D1 GaN IC IGT60R070D1ATMA4 Силовой транзистор CoolGaN™, 600 В, E-режим

IGT60R070D1 обеспечивает более компактную топологию и более высокую эффективность при работе на более высоких частотах. Он сертифицирован в рамках обширного процесса квалификации, специфичного для GaN, и превосходит отраслевые стандарты. Размещенный в корпусе HSOF-8 (TO-less) с охлаждением снизу, он предназначен для оптимального рассеивания мощности, необходимого в современных центрах обработки данных, серверах, телекоммуникациях, возобновляемых источниках энергии и многих других приложениях.

Функции
  • E-режим HEMT – обычно ВЫКЛ.
  • Сверхбыстрое переключение
  • Нет платы за обратное возмещение
  • Способен к обратной проводимости
  • Низкий заряд ворот, низкий выходной заряд
  • Превосходная коммутационная надежность
  • Квалификация JEDEC (JESD47, JESD22)
  • Низкодинамический RDS(вкл.)
  • Охлаждение снизу
Преимущества
  • Повышает эффективность системы
  • Улучшает плотность мощности
  • Обеспечивает более высокую рабочую частоту
  • Экономия на снижении затрат на систему
  • Снижает электромагнитные помехи
Приложения
  • IBC среднего напряжения (48 В)
  • Аккумуляторное хранилище энергии (BESS)
  • Решения для электропитания на DIN-рейке
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
Другие типы продуктов поставки
Номер детали Упаковка
AWR1843ABGABLRQ1ФКБГА161
STM32WB55VGQ6БГА129
XC5VLX30T-2FF323IБГА
XC5VLX30T-1FF323CБГА
ЛИФ-МДФ6000-6КМГ80ИБГА-80
SIM8260C-M2Модуль
SIM8260CМодуль
SIM8100Модуль
SIM8800CEМодуль
SIM8800EМодуль
SIM8973CEМодуль
SIM8973EAМодуль
SIM8973WМодуль
TPS79333DBVRQ1СОТ23-5
AMC1035QDRQ1СОИК-8
TPS25865QRPQRQ1QFN
UCC27200QDDARQ1СОП8
LM26480QSQ-AA/НОПБWQFN-24
TPS79633QDCQRQ1СОТ-223-6
AMC23C12QDWVRQ1СОИК8
TPS62402QDRCRQ1ВСОН10
TPS76933QDBVRG4Q1СОТ23-5
XC7A100T-2FGG484IБГА484
XC6SLX25-2FGG484IБГА484
XC7A50T-1FTG256IБГА256
АИМБГ120Р040М1ТО263-7
АИМБГ120Р010М1ТО263-7
АИМБГ120Р120М1ТО263-7
СТМ32Х747АГИ6УФБГА169
СТМ32Х747АИИ6УФБГА169
Часто задаваемые вопросы
Ваша продукция оригинальна?
Да, все продукты являются оригинальными, наша цель — новый оригинальный импорт.
Какие сертификаты у вас есть?
Мы являемся сертифицированной компанией ISO 9001:2015 и членом ERAI.
Можете ли вы поддержать заказ или образец небольшого количества? Образец бесплатный?
Да, мы поддерживаем заказ образцов и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
Как отправить мой заказ? Это безопасно?
Мы используем экспресс-доставку, такую ​​как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать предложенного вами экспедитора. Товары будут в хорошей упаковке и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта в вашем заказе.
А что насчет времени выполнения?
Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет на складе, мы подтвердим время выполнения заказа в зависимости от количества вашего заказа.

тег:

VQFN54 интегрировало половинного водителя Gan моста,

FET LMG3422R030RQZR GaN,

Водитель VQFN54 ворот Fet Gan

Контактная информация
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Половинное общее назначение GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 водителя моста

Половинное общее назначение GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 водителя моста

Категория: Водители Полу-моста PMIC полные

Серия: CoolGaN™

Применения: Общее назначение

Rds дальше: 140mOhm LS 140mOhm HS
Распределение силы Ic силы водителя LMG3411R070RWHR Gan FET переключает канал 32VQFN p

Распределение силы Ic силы водителя LMG3411R070RWHR Gan FET переключает канал 32VQFN p

Соотношение - Вход:Выход: 1:1

Интерфейс: Логика, PWM

Напряжение - питание (Vcc/Vdd): 9.5V | 18V

Текущий объем производства (Макс): 12А
Водитель GaN канала p водителя переключателя мощности LMG3410R070RWHR GaN IC интегрировал

Водитель GaN канала p водителя переключателя мощности LMG3410R070RWHR GaN IC интегрировал

Конфигурация вывода: Высокая сторона

Тип выхода: P-канал

напряжение - нагрузка: 480V (Макс)

Напряжение - питание (Vcc/Vdd): 9.5V | 18V
FET 600V LMG3422R030RQZR GaN интегрировал изолированных водителей ворот GaN

FET 600V LMG3422R030RQZR GaN интегрировал изолированных водителей ворот GaN

Выходной ток: 1,2 А

Напряжение питания - мин: 7.5 В

Напряжение питания - Макс: 18 В

Время восхода: 4 нс
Канал IC n переключателя распределения силы IC 6A VQFN32 водителя LMG3411R150RWHR Gan

Канал IC n переключателя распределения силы IC 6A VQFN32 водителя LMG3411R150RWHR Gan

Напряжение - нагрузка: 480V (Макс)

Напряжение тока - поставка (Vcc/Vdd): 9.5V | 18V

Текущий объем производства (Макс): 6A

Rds на (тип): 150мОм
около

Обломок интегральной схемаы

VN7008AJTR интегральная схема Чип высокий драйвер 96A высокие переключатели PowerSSO-16

ADG1433YCPZ интегральный микросхема чип iCMOSTM переключатель 4.7 Ом Промышленные CMOS аналоговые переключатели

LT6700CS6-1 Комплексная схема микроэлектрический низковольтный двойной сравнитель с 400mV ссылкой

ИС Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-линейный 6-портовый PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-линейный 16-портовый PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Аляска Ультра Гигабитные Ethernet PHY передатчики

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество Обломок интегральной схемаы поставщик. © 2022 - 2026 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.