Чип интегральной схемы GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN на транзисторах SiC HEMT

Чип интегральной схемы GTVA262701FA-V2-R2 270W RF GaN на SiC HEMT транзисторах

Описание продуктаGTVA262701FA-V2-R2

GTVA262701FA-V2-R2 представляет собой 270-ваттный GaN на SiC высокоэлектронный мобильный транзистор (HEMT) для использования в многостандартных приложениях для усилителей сотовой мощности.и термоусиленный поверхностный монтаж с безушным фланцем.

СпецификацияИзGTVA262701FA-V2-R2

ОсобенностиGTVA262701FA-V2-R2

• Наука о технологии SiC HEMT
• Сопоставление входных данных
• Типичная импульсная производительность CW: ширина импульса 10 μs, 10% рабочего цикла, 2690 МГц, 48 В
- Выходная мощность P3dB = 270 Вт
- Эффективность = 66%
- Прибыль = 18,1 дБ
• Модель человеческого тела класса 1B (по ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
• Способен обрабатывать 10:1 VSWR @ 48 V, 60 W (WCDMA) выходной мощности
• Без Pb и соответствует требованиям RoHS

Другие электронные компоненты на складе

Частые вопросы
Вопрос: Ваши изделия оригинальные?
О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.
Вопрос: Какие у вас сертификаты?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.
Q:Можете ли вы поддержать небольшое количество заказа или образцы?
A: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
Вопрос: Как отправить мой заказ?
A: Мы используем экспресс для отправки, например, DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукция будет в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.
Вопрос: Как насчет сроков?
A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.