Транзистор MOSFET из карбида кремния IMT65R057M1H, 650 В, 57 мОм в корпусе TOLL для высокой плотности мощности

IMT65R057M1H CoolSICTM MOSFET 650 V, 57 mΩ в пакете TOLL использует преимущества технологии Infineon SiC для создания конструкций с более высокой плотностью и более высокой частотой переключения.Небольшой форм-фактор и низкий паразитарный TOLL позволяют эффективно и эффективно использовать пространство на борту, а также управлять MOSFET на более высоких частотах, достигая более высокой плотности мощности.

CoolSICTM MOSFET 650 V, 57 mΩ в пакете TOLL дополняется доступностью TOLL также для CoolMOSTM и CoolGaNTM, что делает его привлекательным вариантом для различных систем.Уменьшение теплового импеданса по сравнению с D2PAKВместе с инновационным.XT интерконнектом продукт 57 мΩ подходит для систем высокой и средней мощности с высокими целями эффективности.

Он идеально подходит для возникающей топологии Totem Pole PFC в системах высокой и средней мощности. Он также обеспечивает высокую эффективность и плотность на стадиях DC-DC и AC-DC систем высокой и средней мощности.Он также успешно используется в переплетенных топологиях для решения задач по высокой эффективности в системах высокой мощности.