TC58NYG2S0HBAI4 Память IC Чип 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

TC58NYG2S0HBAI4 Память IC Чип 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63

Обзор продукции TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4 представляет собой один 1,8V 4 Гбит (4,563,402,752 бита) NAND Электрически стираемая и программируемая память для чтения (NAND E2PROM), организованная как (4096 + 256) байты 64 страницы 2048 блоков.

TC58NYG2S0HBAI4 имеет два 4352-байтовых статических регистра, которые позволяют передавать программу и данные чтения между регистрами и массивом ячеек памяти с увеличением на 4352 байта.Операция Erase реализуется в одном блоке (256 Кбайт + 16 Кбайт): 4352 байта x 64 страницы).

Спецификация TC58NYG2S0HBAI4

Особенности TC58NYG2S0HBAI4

Организация x8
Массив ячеек памяти: 4352 x 128K x 8
Регистр: 4352 х 8
Размер страницы: 4352 байта
Размер блока: (256K x 16K) байт
Силовое питание - VCC: 1,7V до 1,95V
Для каждого 512 байта требуется 8 бит ECC.

Другие электронные компоненты на складе

Частые вопросы
Вопрос: Ваши изделия оригинальные?
О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.
Вопрос: Какие у вас сертификаты?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.
Q:Вы можете поддерживать небольшое количество заказа или образцы?
О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
Вопрос: Как отправить мой заказ?
A: Мы используем экспресс для доставки, например, DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукция будет в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.
Вопрос: Как насчет сроков?
A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.