|
Подробная информация о продукте:
|
| Part Number: | AON7934 | Technology: | MOSFET (Metal Oxide) |
|---|---|---|---|
| Configuration: | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature: | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss): | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: | 13A, 15A |
| Выделить: | 30В двойной N-канальный MOSFET,асимметричные транзисторы MOSFET,Чип интегральной схемы AON7934 |
||
AON7934 — это двойные асимметричные N-канальные MOSFET-транзисторы с напряжением 30 В.
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
|---|---|
| Конфигурация | 2 N-канала (двойной) |
| Особенность полевого транзистора | Ворота логического уровня |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 13А, 15А |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 10,2 мОм при 13 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,2 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11 нК при 10 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 485пФ при 15В |
| Мощность - Макс. | 2,5 Вт |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (ТДж) |
| Номер детали | Упаковка |
|---|---|
| ЛМК61Е0-050М00СИАР | QFM-6 |
| TPL5010QDDCRQ1 | СОТ-23-6 |
| ЛМК60Е0-156257СИАР | QFM-6 |
| ЛМК61Е2-125М00СИАР | QFM-6 |
| F28P659DK8PTPQ1 | HLQFP-176 |
| F28P659DK8PZPQ1 | HTQFP-100 |
| F28P659DK8ZEJQ1 | НФБГА-256 |
| F28P659DK8ZEJRQ1 | НФБГА-256 |
| АЦП12DL500ACF | ФКБГА-256 |
| АЦП12DL2500ACF | ФКБГА-256 |
| АЦП12DL1500ACF | ФКБГА-256 |
| ADS1288IRHBR | ВКФН-32 |
| AFE78101RRUR | УКФН-24 |
| AFE781H1RRUR | УКФН-24 |
| AFE78201RRUR | УКФН-24 |
| AFE782H1RRUR | УКФН-24 |
| ADS9227RHAT | ВКФН-40 |
| АЦП3910D125IRSMR | ВКФН-32 |
| REF54250CDR | 8-СОИК |
| TDP2004IRNQR | 40-WQFN |
| ДАК81401ПВР | 20-ЦСОП |
| ADS9817RSHR | 56-ВКФН |
| ДАК39RFS12ACK | 256-FCBGA |
| ДАК39RF10EFACK | 256-FCBGA |
| ЦАП39RF12ACK | 256-FCBGA |
| ДАК39RFS10EFACK | 256-FCBGA |
| DRV8242HQRHLRQ1 | 20-ВКФН |
| TM4C123BH6NMRIR | НФБГА-157 |
| TM4C123GH6NMRIR | НФБГА-157 |
| F2800152QRHBRQ1 | ВКФН-32 |
Контактное лицо: Sales Manager
Телефон: 86-13410018555
Факс: 86-0755-83957753