|
Подробная информация о продукте:
|
| Номер части: | AON7934 | технология: | MOSFET (металлическая окись) |
|---|---|---|---|
| Конфигурация: | N-канал 2 (двойной) | Особенность FET: | Ворота уровня логики |
| Напряжение отхода к источнику (Vdss): | 30 В | Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C: | 13A, 15A |
| Выделить: | 30В двойной N-канальный MOSFET,асимметричные транзисторы MOSFET,Чип интегральной схемы AON7934 |
||
AON7934 - это 30В двойные асимметричные N-канальные MOSFET транзисторы.
| Технологии | MOSFET (оксид металла) |
|---|---|
| Конфигурация | 2 N-канала (двойной) |
| Функция FET | Вход на логический уровень |
| Напряжение отхода к источнику (Vdss) | 30 В |
| Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C | 13А, 15А |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2mOhm @ 13A, 10В |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2В @ 250μA |
| Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds | 485pF @ 15В |
| Мощность - Макс | 2.5W |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Номер части | Пакет |
|---|---|
| LMK61E0-050M00SIAR | QFM-6 |
| TPL5010QDDCRQ1 | SOT-23-6 |
| LMK60E0-156257SIAR | QFM-6 |
| LMK61E2-125M00SIAR | QFM-6 |
| F28P659DK8PTPQ1 | HLQFP-176 |
| F28P659DK8PZPQ1 | HTQFP-100 |
| F28P659DK8ZEJQ1 | NFBGA-256 |
| F28P659DK8ZEJRQ1 | NFBGA-256 |
| ADC12DL500ACF | FCBGA-256 |
| ADC12DL2500ACF | FCBGA-256 |
| ADC12DL1500ACF | FCBGA-256 |
| ADS1288IRHBR | VQFN-32 |
| AFE78101RRUR | UQFN-24 |
| AFE781H1RRR | UQFN-24 |
| AFE78201RRUR | UQFN-24 |
| AFE782H1RRR | UQFN-24 |
| ADS9227RHAT | VQFN-40 |
| ADC3910D125IRSMR | VQFN-32 |
| REF54250CDR | 8-SOIC |
| TDP2004IRNQR | 40-WQFN |
| DAC81401PWR | 20-TSSOP |
| ADS9817RSHR | 56-VQFN |
| DAC39RFS12ACK | 256-FCBGA |
| DAC39RF10EFACK | 256-FCBGA |
| DAC39RF12ACK | 256-FCBGA |
| DAC39RFS10EFACK | 256-FCBGA |
| DRV8242HQRHLRQ1 | 20-VQFN |
| TM4C123BH6NMRIR | NFBGA-157 |
| TM4C123GH6NMRIR | NFBGA-157 |
| F2800152QRHBRQ1 | VQFN-32 |
Контактное лицо: Sales Manager
Телефон: 86-13410018555
Факс: 86-0755-83957753