|
Подробная информация о продукте:
|
| Номер части: | Std10nm60n | Полярность транзистора:: | N-канал |
|---|---|---|---|
| Количество каналов:: | 1 канал | Vds - Напряжение пробоя сток-исток:: | 600 В. |
| Id — непрерывный ток стока:: | 10 a | Rds On — сопротивление сток-исток:: | 550 mOhms |
STD10NM60N Integrated Circuit Chip N-Channel 600V 10A 530mΩ MOSFET Transistors Product Description Of STD10NM60N STD10NM60N is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters. Specifications Of STD10NM60N
Контактное лицо: Sales Manager
Телефон: 86-13410018555
Факс: 86-0755-83957753