RBN75H65T1FPQ-A0 Чип интегральной схемы 650V 75A траншные IGBT транзисторы TO-247-3

RBN75H65T1FPQ-A0 Интегральная схема 650 В 75 А Trench IGBT транзисторы TO-247-3​

Описание продукта RBN75H65T1FPQ-A0

RBN75H65T1FPQ-A0 - это транзистор с биполярным транзистором с изолированным затвором (IGBT) на 650 В, 75 А, который обеспечивает низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, встроенный быстродействующий диод (FRD) и может использоваться в приложениях коммутации питания. Он доступен в корпусе TO-247A.

Спецификация RBN75H65T1FPQ-A0

Особенности RBN75H65T1FPQ-A0

Технология Trench gate и тонких пластин (серия G8H)
Встроенный быстродействующий диод в одном корпусе
Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) = 1,5 В тип. (при IC = 75 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C)
Класс качества: Стандартный
Высокоскоростное переключение
Не специфицировано для короткого замыкания

Применение RBN75H65T1FPQ-A0

ИБП
Сварка
Фотоэлектрические инверторы
Системы преобразователей мощности

Другие электронные компоненты в наличии 

FAQ
В. Ваши продукты оригинальные?
A: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.
В: Какие у вас есть сертификаты?
A: Мы являемся компанией, сертифицированной по стандарту ISO 9001:2015, и членом ERAI.
В: Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Образец бесплатный?
A: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
В: Как отправить мой заказ? Это безопасно?
A: Мы используем экспресс-доставку, такую как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать вашего предложенного экспедитора. Продукты будут хорошо упакованы и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта вашего заказа.
В: Как насчет времени выполнения заказа?
A: Мы можем отправить детали со склада в течение 5 рабочих дней. Если нет в наличии, мы подтвердим время выполнения заказа для вас в зависимости от количества вашего заказа.