GT30J122 Интегральная схема чипа дискретных IGBT 600 В кремниевый N-канальный IGBT транзистор

GT30J122 интегральные микросхемы Дискритетные IGBT 600V Кремниевые N-канальные IGBT транзисторы

Описание продукта GT30J122

GT30J122 - это дискретный IGBTs-Силиконовый N-канальный IGBT-транзистор.

Спецификация GT30J122

Особенности GT30J122

4-е поколение
Режим усиления
Высокоскоростное переключение: tf = 0,20 μs (типично) (IC = 50 A)
Низкое насыщенное напряжение: VCE ((sat) = 1,7 V (typ.) (IC = 50 A)

Применение GT30J122

Специализируется для применения сменных инверторов с резонансным током
Специально для приложений частичного переключения корекции фактора мощности (PFC)

Другие электронные компоненты на складе

Частые вопросы
Вопрос: Ваши изделия оригинальные?
О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.
Вопрос: Какие у вас сертификаты?
О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.
Q:Вы можете поддерживать небольшое количество заказа или образцы?
A: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.
Вопрос: Как отправить мой заказ?
A: Мы используем экспресс для отправки, например, DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукция будет в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.
Вопрос: Как насчет сроков?
A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.