Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

Интегральная схема STP24N60M2, 600 В, силовые MOSFET транзисторы MDmesh M2, TO-220-3

Name: Интегральная схема STP24N60M2, 600 В, силовые MOSFET транзисторы MDmesh M2, TO-220-3
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: STP24N60M2
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(20874)

BT IC
(554)

Автомобильные модули IGBT
(2187)

Микроконтроллер MCU
(14785)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1226)

Вентильная матрица поля Programmable
(7002)

ИС Ethernet
(1059)

Коннекторы
(3488)

Микросхема памяти
(2534)

Датчик IC
(2468)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(155)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3699)

Термостат регулятора температуры
(9)

Врезанные решения
(924)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

Интегральная схема STP24N60M2, 600 В, силовые MOSFET транзисторы MDmesh M2, TO-220-3

Большие изображения : Интегральная схема STP24N60M2, 600 В, силовые MOSFET транзисторы MDmesh M2, TO-220-3

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	STP24N60M2

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	TO-220-3
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	T/T, L/C, Western Union

контакт

Интегральная схема STP24N60M2, 600 В, силовые MOSFET транзисторы MDmesh M2, TO-220-3

Описание

Номер части:	STP24N60M2	Vds - пробивное напряжение Сток-источника:	600 В.
Id - непрерывное течение стока:	18 А	Rds на - сопротивлении Сток-источника:	168 МОМС
Qg - обязанность ворот:	29 н.э.	ПД - рассеяние мощности:	150 Вт
Выделить:	STP24N60M2 , Интегральная схема STP24N60M2 , Силовые MOSFET транзисторы 600 В MDmesh M2

Интегральная микросхема STP24N60M2, 600 В, силовые MOSFET-транзисторы MDmesh M2, TO-220-3

Описание продукта STP24N60M2

STP24N60M2 - это N-канальные силовые MOSFET-транзисторы, разработанные с использованием технологии MDmesh M2. Благодаря своей полосовой компоновке и улучшенной вертикальной структуре, эти устройства демонстрируют низкое сопротивление открытого канала и оптимизированные характеристики переключения, что делает их подходящими для самых требовательных высокоэффективных преобразователей.

Спецификация STP24N60M2

Серия	MDmesh™ II Plus
Тип FET	N-канальный
Технология	MOSFET (металл-оксид)
Напряжение сток-исток (Vdss)	600 В
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C	18 А (Tc)
Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On)	10 В
Rds On (макс.) при Id, Vgs	190 мОм при 9 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) при Id	4 В при 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs	29 нК при 10 В
Vgs (макс.)	±25 В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1060 пФ при 100 В
Рассеиваемая мощность (макс.)	150 Вт (Tc)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Корпус устройства поставщика	TO-220
Корпус / Корпус	TO-220-3

Особенности STP24N60M2

Чрезвычайно низкий заряд затвора
Отличный профиль выходной емкости (Coss)
100% испытание на лавину
Защита от стабилитрона

Применение STP24N60M2
Коммутационные приложения

Другие электронные компоненты в наличии

Номер детали	Корпус
MT62F768M64D4EK-023 AIT:C	441-TFBGA
S29PL064J70BFI070	48-VFBGA
S29GL512S11FHI010	FBGA-64
S25FL064LABNFV010	WSON-8
S25FL128LAGNFA010	WSON-8
S29GL512T10FHI013	FBGA-64
S29GL512T10FHI020	FBGA-64
S29GL512T11FHIV20	FBGA-64
S25FL064LABNFM041	USON-8
CY14V101QS-SE108XI	SOIC-16
TSB582IDT	SO-8
TSU111HYLT	SOT23-5
TSB621IYLT	SOT23-5
SV771ILT	SOT23-5
TSZ181H1YLT	SOT23-5
TSV771IYLT	SOT23-5
OPA992QDCKRQ1	SC-70-5
MCP6499T-E/SL	SOIC-14
MCP6499T-E/ST	TSSOP-14
TSB621ILT	SOT23-5
TSB624IPT	TSSOP-14
OPA2992QDGKRQ1	8-VSSOP
OPA2828IDGNR	HVSSOP8
OPA4991QDRQ1	SOIC-14
MCP6496UT-E/OT	SOT-23-5
TSV772IYST	MiniSO-8
TSB612IYST	MiniSO-8
TSV772IYDT	SO-8
TSB612IYDT	SO-8
TSU111IYLT	SOT23-5

FAQ
Q. Ваши продукты оригинальные?
A: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.
Q: Какие у вас есть сертификаты?
A: Мы являемся компанией, сертифицированной по стандарту ISO 9001:2015, и членом ERAI.
Q: Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Образец бесплатный?
A: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца зависит от вашего заказа или проекта.
Q: Как отправить мой заказ? Это безопасно?
A: Мы используем экспресс-доставку, такую как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать вашего предложенного экспедитора. Продукты будут хорошо упакованы и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта вашего заказа.
Q: Как насчет времени выполнения заказа?
A: Мы можем отправить складские детали в течение 5 рабочих дней. Если нет в наличии, мы подтвердим время выполнения заказа для вас в зависимости от количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

Интегральная схема STP24N60M2, 600 В, силовые MOSFET транзисторы MDmesh M2, TO-220-3

Интегральная схема STP24N60M2, 600 В, силовые MOSFET транзисторы MDmesh M2, TO-220-3

Интегральная схема STP24N60M2, 600 В, силовые MOSFET транзисторы MDmesh M2, TO-220-3

STP24N60M2

Интегральная схема STP24N60M2

Силовые MOSFET транзисторы 600 В MDmesh M2

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,