Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

STF11N65M2 650 В 7 А 0,68 Ом N-канальный силовой MOSFET транзистор с технологией MDmesh M2

Name: STF11N65M2 650 В 7 А 0,68 Ом N-канальный силовой MOSFET транзистор с технологией MDmesh M2
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: СТФ11Н65М2
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21035)

BT IC
(557)

Автомобильные модули IGBT
(2192)

Микроконтроллер MCU
(14833)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1226)

Вентильная матрица поля Programmable
(7004)

ИС Ethernet
(1065)

Коннекторы
(3501)

Микросхема памяти
(2550)

Датчик IC
(2477)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(155)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3701)

Термостат регулятора температуры
(9)

Врезанные решения
(5189)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

STF11N65M2 650 В 7 А 0,68 Ом N-канальный силовой MOSFET транзистор с технологией MDmesh M2

Большие изображения : STF11N65M2 650 В 7 А 0,68 Ом N-канальный силовой MOSFET транзистор с технологией MDmesh M2

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	CN
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	СТФ11Н65М2

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	TO-220-3
Время доставки:	3-5 рабочих дней
Условия оплаты:	T/T.
Поставка способности:	10000 штук в день

контакт

STF11N65M2 650 В 7 А 0,68 Ом N-канальный силовой MOSFET транзистор с технологией MDmesh M2

Описание

Номер части:	СТФ11Н65М2	Полярность транзистора::	N-канал
Количество каналов::	1 канал	Vds - Напряжение пробоя сток-исток::	650 В.
Id — непрерывный ток стока::	7 А	Rds On — сопротивление сток-исток::	670 мОм
Выделить:	Мосфет мощностью 650 В , 7A N-канальный MOSFET , 0.68Ω Чип интегральной схемы

STF11N65M2 Интегральная микросхема 650В 7A 0.68Ω N-канальные силовые MOSFET транзисторы

Описание продукта

STF11N65M2 - это N-канальный силовой MOSFET, разработанный с использованием технологии MDmesh M2. Благодаря своей полосовой компоновке и улучшенной вертикальной структуре, устройство демонстрирует низкое сопротивление открытого канала и оптимизированные характеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективных преобразователей.

Спецификации

Параметр	Значение
Тип FET	N-канал
Технология	MOSFET (металл-оксид)
Напряжение сток-исток (Vdss)	650 В
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C	7A (Tc)
Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On)	10 В
Rds On (макс.) при Id, Vgs	670 мОм при 3,5 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) при Id	4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs	12,5 нК при 10 В
Vgs (макс.)	±25 В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	410 пФ при 100 В
Рассеиваемая мощность (макс.)	25 Вт (Tc)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Основные характеристики

Чрезвычайно низкий заряд затвора
Отличный профиль выходной емкости (COSS)
100% протестировано на лавину
Защита стабилитроном

Применения

Коммутационные приложения

Другие электронные компоненты в наличии

Номер детали	Корпус
XCZU5EV-1SFVC784E	784-FCBGA
5ASXBB3D6F31C6G	896-BBGA
XCZU4CG-2FBVB900E	900-FCBGA
XCZU4EV-2SFVC784I	784-FCBGA
1SX040HH3F35E2VG	1152-BBGA
1SX040HH3F35I3VG	1152-FBGA
5ASXBB3D6F35C6G	1152-BBGA
XCZU4EV-1FBVB900I	900-FCBGA
XCZU5CG-1FBVB900E	900-FCBGA
XCZU4EG-2FBVB900E	900-FCBGA
XCZU4EG-L1FBVB900I	900-FCBGA
XCZU5EG-1SFVC784I	784-BFBGA
XCZU4CG-2FBVB900I	900-FCBGA
XCZU4CG-L2FBVB900E	900-FCBGA
XCZU4EG-3SFVC784E	784-FCBGA
XCZU5CG-2SFVC784E	784-FCBGA
XC7Z045-1FFG676I	676-BBGA
5ASXBB3D6F40C6G	1517-FBGA
XCZU5CG-L1SFVC784I	784-BFBGA
XCZU5EV-1SFVC784I	784-BFBGA
XCZU5EG-1FBVB900E	900-BBGA
5ASXBB3D4F31C5G	896-FBGA
1SX040HH3F35E1VG	1152-BBGA
XCZU4EV-L1FBVB900I	900-FCBGA
XCZU5EG-2SFVC784E	784-BFBGA
XCZU5EG-L1SFVC784I	784-BFBGA
1SX040HH2F35E2VG	1152-BBGA
1SX040HH3F35I2VG	1152-BBGA
XCZU6CG-1FFVC900E	900-FCBGA
XC7Z045-3FBG676E	676-BBGA

Часто задаваемые вопросы

В: Ваши продукты оригинальные?

О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.

В: Какие у вас есть сертификаты?

О: Мы являемся компанией, сертифицированной по стандарту ISO 9001:2015, и членом ERAI.

В: Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Образец бесплатный?

О: Да, мы поддерживаем заказ образцов и небольшие заказы. Стоимость образца варьируется в зависимости от вашего заказа или проекта.

В: Как отправить мой заказ? Это безопасно?

О: Мы используем экспресс-доставку, такую как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать вашего предложенного экспедитора. Продукты будут хорошо упакованы, чтобы обеспечить безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта в вашем заказе.

В: Как насчет времени выполнения заказа?

О: Мы можем отправить детали со склада в течение 5 рабочих дней. Если товара нет на складе, мы подтвердим время выполнения заказа для вас в зависимости от количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

STF11N65M2 650 В 7 А 0,68 Ом N-канальный силовой MOSFET транзистор с технологией MDmesh M2

STF11N65M2 650 В 7 А 0,68 Ом N-канальный силовой MOSFET транзистор с технологией MDmesh M2

STF11N65M2 650 В 7 А 0,68 Ом N-канальный силовой MOSFET транзистор с технологией MDmesh M2

Мосфет мощностью 650 В

7A N-канальный MOSFET

0.68Ω Чип интегральной схемы

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,