|
Подробная информация о продукте:
|
| Номер части: | IRF6894MTRPBF | Vds - пробивное напряжение Сток-источника: | 25 В |
|---|---|---|---|
| Id - непрерывное течение стока: | 170 a | Rds на - сопротивлении Сток-источника: | 10,7 мОмм |
| Qg - обязанность ворот: | 29 н.э. | ПД - рассеяние мощности: | 54 Вт |
| Выделить: | 25V HEXFET Power MOSFET,170A Continuous Drain Current Integrated Circuit Chip,1.7mOhms Drain-Source Resistance Power MOSFET |
||
IRF6894MTRPBF Integrated Circuit Chip 25V HEXFET Power MOSFET Plus Schottky Diode Product Description IRF6894MTRPBF is a 25V, Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MX package rated at 33 amperes with optimized low on-resistance. This product combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with advanced DirectFET™ packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm
Контактное лицо: Sales Manager
Телефон: 86-13410018555
Факс: 86-0755-83957753