Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

IRLR3636TRPBF 60В 99A силовой MOSFET транзистор HEXFET N-канальный с 6.8 мОм RDS(ON) в корпусе DPAK-3

Name: IRLR3636TRPBF 60В 99A силовой MOSFET транзистор HEXFET N-канальный с 6.8 мОм RDS(ON) в корпусе DPAK-3
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IRLR3636TRPBF
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21035)

BT IC
(557)

Автомобильные модули IGBT
(2192)

Микроконтроллер MCU
(14833)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1226)

Вентильная матрица поля Programmable
(7004)

ИС Ethernet
(1065)

Коннекторы
(3501)

Микросхема памяти
(2550)

Датчик IC
(2477)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(155)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3701)

Термостат регулятора температуры
(9)

Врезанные решения
(5189)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

IRLR3636TRPBF 60В 99A силовой MOSFET транзистор HEXFET N-канальный с 6.8 мОм RDS(ON) в корпусе DPAK-3

Большие изображения : IRLR3636TRPBF 60В 99A силовой MOSFET транзистор HEXFET N-канальный с 6.8 мОм RDS(ON) в корпусе DPAK-3

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	IRLR3636TRPBF

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	TO-252-3
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

IRLR3636TRPBF 60В 99A силовой MOSFET транзистор HEXFET N-канальный с 6.8 мОм RDS(ON) в корпусе DPAK-3

Описание

Номер детали:	IRLR3636TRPBF	Пакет / корпус:	ДПАК-3 (ТО-252-3)
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:	60 В	Id - непрерывное течение стока:	99 А
Rds на - сопротивлении Сток-источника:	6.8 МОмм	Qg - обязанность ворот:	49 nC
Выделить:	60В силовой MOSFET транзистор , 99A HEXFET транзистор , 6.8 мОм N-канальный MOSFET

IRLR3636TRPBF Интегральная схема (ИС) 60 В HEXFET Одноканальный силовой MOSFET транзистор

IRLR3636TRPBF - это 60-вольтовый, HEXFET одноканальный силовой MOSFET транзистор в корпусе D-Pak. Является частью семейства силовых MOSFET StrongIRFET™, оптимизирован для низкого RDS(on) и высокой токовой нагрузки.

Этот компонент идеально подходит для низкочастотных приложений, требующих производительности и надежности. Широкий ассортимент продукции охватывает широкий спектр применений, включая двигатели постоянного тока, системы управления батареями, инверторы и DC-DC преобразователи.

Технические характеристики

Серия	HEXFET®
Тип FET	N-канальный
Технология	MOSFET (металл-оксид)
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 В
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C	50A (Tc)
Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On)	4,5 В, 10 В
Rds On (макс.) при Id, Vgs	6,8 мОм при 50A, 10 В
Vgs(th) (макс.) при Id	2,5 В при 100 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs	49 нК при 4,5 В
Vgs (макс.)	±16 В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3779 пФ при 50 В
Рассеиваемая мощность (макс.)	143 Вт (Tc)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус устройства поставщика	TO-252AA (DPAK)
Корпус / Корпус	TO-252-3, DPAK (2 вывода + выступ), SC-63

Основные характеристики

Оптимизирован для управления логическим уровнем
Очень низкий RDS(ON) при 4,5 В VGS
Превосходный R*Q при 4,5 В VGS
Улучшенная прочность затвора, лавины и динамического dV/dt
Полностью охарактеризованная емкость и SOA лавины
Улучшенная способность диода тела dV/dt и dI/dt
Без свинца

Типичные области применения

Привод двигателя постоянного тока
Высокоэффективное синхронное выпрямление в SMPS
Источник бесперебойного питания
Высокоскоростное переключение питания
Жестко коммутируемые и высокочастотные схемы

Сопутствующие компоненты в наличии

Номер детали	Корпус
MC32PF1510A4EP	QFN-40
MC34PF1510A7EP	QFN-40
MFS5600AMEA0ES	32-HVQFN
MFS8603BMBA0ES	HVQFN-48
MFS8623BMDA0ES	HVQFN-48
MC34PF1550A8EP	QFN-40
MC32PF1550A7EP	QFN-40
MC34PF8100CFEP	56-VFQFN
MC34PF8101A0EP	HVQFN-56
MC33PF8100EQES	56-HVQFN
MC34PF8100CCEP	56-HVQFN
MC34PF1550A7EP	40-HVQFN
MC34PF1550A3EP	40-VFQFN
MC32PF1550A2EP	40-HVQFN
MC32PF1550A6EP	40-HVQFN
MC32PF1550A8EP	40-VFQFN
MC32PF3001A7EP	48-HVQFN
MC34PF8100EREP	56-HVQFN
MC34PF1550A5EP	40-VFQFN
MC34PF1550A6EP	40-VFQFN
MC34PF3001A5EP	48-VFQFN
MC33PF8100CHES	56-VFQFN
MC32PF1550A5EP	40-VFQFN
MC34PF3000A8EP	48-VFQFN
MPF7100BVMA0ES	48-VFQFN
MC35FS6508CAE	48-LQFP
MPF7100BVBA3ES	48-VFQFN
MPF7100BVBA1ES	48-VFQFN
MC34PF8100F3EP	56-VFQFN
MC33PF8200ESES	56-VFQFN

Часто задаваемые вопросы

В. Ваши продукты оригинальные?

О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.

В: Какие у вас есть сертификаты?

О: Мы являемся компанией, сертифицированной по стандарту ISO 9001:2015, и членом ERAI.

В: Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Образец бесплатный?

О: Да, мы поддерживаем заказ образцов и небольшие заказы. Стоимость образца варьируется в зависимости от вашего заказа или проекта.

В: Как отправить мой заказ? Это безопасно?

О: Мы используем экспресс-доставку, такую как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать вашего предложенного экспедитора. Продукты будут хорошо упакованы и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта вашего заказа.

В: Как насчет времени выполнения заказа?

О: Мы можем отправить детали со склада в течение 5 рабочих дней. Если нет в наличии, мы подтвердим время выполнения заказа для вас в зависимости от количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

IRLR3636TRPBF 60В 99A силовой MOSFET транзистор HEXFET N-канальный с 6.8 мОм RDS(ON) в корпусе DPAK-3

IRLR3636TRPBF 60В 99A силовой MOSFET транзистор HEXFET N-канальный с 6.8 мОм RDS(ON) в корпусе DPAK-3

IRLR3636TRPBF 60В 99A силовой MOSFET транзистор HEXFET N-канальный с 6.8 мОм RDS(ON) в корпусе DPAK-3

60В силовой MOSFET транзистор

99A HEXFET транзистор

6.8 мОм N-канальный MOSFET

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,