logo
Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияМикросхема памяти

Микросхема памяти TC58NVG1S3HBAI6 2 Гбит NAND E2PROM с питанием 3,3 В и параллельным интерфейсом

Все продукты

Обломок интегральной схемаы

(21143)

BT IC

(558)

Автомобильные модули IGBT

(2225)

Микроконтроллер MCU

(14885)

GaN IC

(166)

Чип процессора ИИ

(1230)

Вентильная матрица поля Programmable

(7003)

ИС Ethernet

(1067)

Коннекторы

(3504)

Микросхема памяти

(2601)

Датчик IC

(2488)

IoT-чип

(244)

5G-модуль

(155)

Обломок WIFI

(153)

Обломок Iphone IC

(54)

Беспроводной модуль связи

(3710)

Термостат регулятора температуры

(9)

Врезанные решения

(7128)
Сертификация
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты
Просмотрения клиента
Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

Микросхема памяти TC58NVG1S3HBAI6 2 Гбит NAND E2PROM с питанием 3,3 В и параллельным интерфейсом

Микросхема памяти TC58NVG1S3HBAI6 2 Гбит NAND E2PROM с питанием 3,3 В и параллельным интерфейсом
Микросхема памяти TC58NVG1S3HBAI6 2 Гбит NAND E2PROM с питанием 3,3 В и параллельным интерфейсом

Большие изображения :  Микросхема памяти TC58NVG1S3HBAI6 2 Гбит NAND E2PROM с питанием 3,3 В и параллельным интерфейсом

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: Original Factory
Сертификация: Lead free / RoHS Compliant
Номер модели: TC58NVG1S3HBAI6
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10
Цена: Contact for Sample
Упаковывая детали: VFBGA-67
Время доставки: 5-8 рабочих дней
Условия оплаты: Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион
контакт

Микросхема памяти TC58NVG1S3HBAI6 2 Гбит NAND E2PROM с питанием 3,3 В и параллельным интерфейсом

Описание
Номер детали: TC58NVG1S3HBAI6 Размер памяти:: 2 Gbit
Организация:: 256 m x 8 Ширина шины данных:: 8 бит
Напряжение подачи - мин:: 2,7 В. Напряжение питания - макс.: 3,6 В
Выделить:

Микросхема памяти 2 Гбит

,

3

,

3 В NAND E2PROM

Чип памяти TC58NVG1S3HBAI6
Единая 3,3-вольтовая 2 Гбитная NAND-память, стертая и программируемая только для чтения
Обзор продукции
TC58NVG1S3HBAI6 представляет собой одно 3,3-вольтовый 2 Гбит (2,281,701,376 бит) NAND Электрически стираемая и программируемая память для чтения (NAND E2PROM) организованная как (2048 + 128) байты × 64 страницы × 2048 блоков.Устройство оснащено двумя 2176-байтовыми статическими регистрами, которые позволяют программировать и читать передачу данных между регистром и массивом ячеек памяти с увеличением на 2176 байтовОперации стирания выполняются в блочных единицах (128 Кбайт + 8 Кбайт: 2176 Байтов × 64 страницы).
Это устройство серийного типа памяти использует I / O-прицепы для адреса и ввода / вывода данных, а также командных входов.идеально подходит для приложений, требующих высокой плотности хранилища данных в неплавучей памяти., включая твердотельные хранилища файлов, запись голоса, память файлов изображений для неподвижных камер и аналогичные системы.
Технические спецификации
Параметр Спецификация
Формат памяти ФЛАСШ
Технологии Flash - NAND (SLC)
Размер памяти 2 Гбит
Организация памяти 256м х 8м
Интерфейс памяти Параллельно
Написать время цикла 25 нс
Время доступа 25 нс
Напряжение 2.7V ~ 3.6V
Операционная температура -40 °C ~ 85 °C (TA)
Ключевые особенности
Общие черты
  • Оптимальное решение хранения для длительного хранения значимых данных или часто меняемых данных
  • Длительное хранение данных и экстремальная производительность записи/удаления
  • Широкий ассортимент, охватывающий различные плотности
  • Снижение стоимости BOM благодаря передовой технологии производства на 24 нм
  • Поддерживает меньшие размеры плат для мобильных устройств и компактных приложений
SLC NAND 24 нм
  • Диапазон плотности от 1 до 128 Гбит
  • Работа в расширенном температурном диапазоне
  • Доступен в комплектациях TSOP и BGA
BENAND 24nm с встроенным ECC
  • Опции плотности от 1 до 8 Гбит
  • Функциональность ECC аппаратного обеспечения на чипе
  • Такая же надежность и производительность, как и сырой SLC
  • Идентичный аппаратный интерфейс и пакет как сырой SLC
  • Не требуется выполнения операции ECC на стороне хозяина
  • Позволяет использовать новейшую 24 нм SLC NAND технологию без поддержки ECC платформы
Заявления
  • Промышленные системы
  • Потребительская электроника
  • Мультимедийные устройства
  • Умные счетчики
  • Интеллектуальное освещение
Сопутствующие продукты
Номер части Пакет
SPSB081C3-TR TFQFN-32
STA368BWGTR HSSOP-36
L978S QFN
STPM066S-V0Y VFQFPN-48
L9691-TR TQFP-128
STPM098-TR QFN
STWBC2-MP VFQFP-68
STWBC2-LP VFQFP-68
STNRG328STR 32-VFQFN
STEF512SRXCPUR 10-DFN
STM32U5A5ZIT6 LQFP-144
STM32WL33CCV7 VFQFN-48
STM32G051C8U3 UFQFN-48
STM32G491KCU3 32-UFQFN
STM32G081EBY3 WLCSP-25
STM32C011F4U3 UFQFN-20
STM32C031G6U3 UFQFN-28
STM32C031K4T7 LQFP-32
STM32WBA55CGU6 UFQFN48
STM32WL33CCV6 VFQFN-48
STM32U5F7VJT6 LQFP-100
STM32WBA55CGU7 UFQFN48
STM32U575RGT3 LQFP-64
STM32C011F4P7 TSSOP-20
STM32U5G7VJT6 LQFP-100
STM32G474MCT3 LQFP-80
STM32WL33K8V6 VFQFN-32
STM32WL33KCV6 VFQFN-32
STM32WBA55UGI6 UFQFN48
STM32WL33C8V7 VFQFN-48
Часто задаваемые вопросы
Ваши изделия оригинальные?
Да, все продукты оригинальные, новые оригинальные импорт - это наша цель.
Какие у вас сертификаты?
Мы сертифицированная компания ISO 9001:2015 и член ERAI.
Вы можете поддержать небольшое количество заказов или образцы? Образец бесплатный?
Да, мы поддерживаем заказы на образцы и небольшие количества. Стоимость образца варьируется в зависимости от вашего заказа или требований проекта.
Как отправить мой заказ?
Мы используем экспресс-перевозчиков, таких как DHL, FedEx, UPS, TNT и EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор. Продукты тщательно упакованы, чтобы обеспечить безопасность,и мы несем ответственность за любой ущерб вашему заказу.
А как насчет времени?
Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Для предметов, не находящихся на складе, мы подтвердим время доставки на основе количества вашего заказа.

тег:

PD 3,

0 MPQ5031 USB,

Регулятор QFN20 PD USB

Контактная информация
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

около

Обломок интегральной схемаы

VN7008AJTR интегральная схема Чип высокий драйвер 96A высокие переключатели PowerSSO-16

ADG1433YCPZ интегральный микросхема чип iCMOSTM переключатель 4.7 Ом Промышленные CMOS аналоговые переключатели

LT6700CS6-1 Комплексная схема микроэлектрический низковольтный двойной сравнитель с 400mV ссылкой

ИС Ethernet

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-линейный 6-портовый PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-линейный 16-портовый PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Аляска Ультра Гигабитные Ethernet PHY передатчики

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество Обломок интегральной схемаы поставщик. © 2022 - 2026 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.. All Rights Reserved.