Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

EPC2051 Чип интегрированной схемы eGaN FET Транзистор с напряжением источника оттока 100 В 1.7 А непрерывным током оттока и сопротивлением источника оттока 25 мОм

Name: EPC2051 Чип интегрированной схемы eGaN FET Транзистор с напряжением источника оттока 100 В 1.7 А непрерывным током оттока и сопротивлением источника оттока 25 мОм
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: ЕПК2051
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21233)

BT IC
(558)

Автомобильные модули IGBT
(2226)

Микроконтроллер MCU
(14929)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1304)

Вентильная матрица поля Programmable
(7008)

ИС Ethernet
(1075)

Коннекторы
(3512)

Микросхема памяти
(2615)

Датчик IC
(2515)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3738)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(9124)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

EPC2051 Чип интегрированной схемы eGaN FET Транзистор с напряжением источника оттока 100 В 1.7 А непрерывным током оттока и сопротивлением источника оттока 25 мОм

Большие изображения : EPC2051 Чип интегрированной схемы eGaN FET Транзистор с напряжением источника оттока 100 В 1.7 А непрерывным током оттока и сопротивлением источника оттока 25 мОм

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	ЕПК2051

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	Умирать
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

EPC2051 Чип интегрированной схемы eGaN FET Транзистор с напряжением источника оттока 100 В 1.7 А непрерывным током оттока и сопротивлением источника оттока 25 мОм

Описание

Номер детали:	ЕПК2051	Vds — напряжение пробоя сток-исток:	100 В.
Id — непрерывный ток стока:	1,7 а	Rds On – сопротивление сток-исток:	25 mOhms
Qg - Плата за ворота:	1,8 нК	Vgs - напряжение тока Ворот-источника:	6 В, - 4 В
Выделить:	Напряжение сток-исток 100 В , полевой транзистор eGaN , Силовой транзистор с непрерывным током 1

Интегральная микросхема EPC2051 eGaN FET транзисторы

100В силовой транзистор с улучшенным режимом работы, обладающий исключительно высокой подвижностью электронов и низким температурным коэффициентом для превосходной производительности в силовых приложениях.

Обзор продукта

EPC2051 - это силовой транзистор с улучшенным режимом работы eGaN FET на 100 В, обеспечивающий исключительную производительность благодаря своей боковой структуре устройства и конструкции диода с носителями заряда большинства, обеспечивая сверхнизкие потери при выключении (QG) и нулевое изменение сопротивления переключения (QRR).

Технические характеристики

Параметр	Значение
Серия	eGaN®
Упаковка	Лента и катушка (TR) Обрезанная лента (CT) Digi-Reel®
Статус детали	Активный
Тип FET	N-канальный
Технология	GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 В
Ток - непрерывный сток (Id) при 25°C	1,7 А (Ta)
Напряжение управления (Max Rds On, Min Rds On)	5 В
Rds On (Max) при Id, Vgs	25 мОм при 3 А, 5 В
Vgs(th) (Max) при Id	2,5 В при 1,5 мА
Заряд затвора (Qg) (Max) при Vgs	2,1 нКл при 5 В
Vgs (Max)	+6 В, -4 В
Входная емкость (Ciss) (Max) при Vds	258 пФ при 50 В
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус устройства поставщика	Кристалл
Корпус / Корпус	Кристалл

Приложения

Архитектуры серверов с открытой стойкой
Приложения для лидара/импульсной мощности
Источники питания
Аудио класса D
Светодиодное освещение
Привод двигателя с низкой индуктивностью
Модуль ToF с использованием лазера Vcsel для модулей камер, ноутбуков и смартфонов

Сопутствующие электронные компоненты

Номер детали	Корпус
QPA5368SR	QFN-20
QPC3025TR13	QFN-32
QPB9348SR	QFN-40
QPA2735TR7	QFN-16
QPF4658TR13	QFN
QPC1022SR	LGA-9
QPF4001TR7	QFN
QPL9095TR7	DFN-8
QPA3333SR	QFN-9
QPM2637SR	QFN-28
QPA4425SR	QFN-40
QPA9421TR13	SMD-14
QPF7219SR	LGA-24
QPM1002TR7	QFN-24
QPF4005TR7	QFN
QPC8014QSR	QFN-13
QPM6000SR	QFN-34
QPA9442SR	QFN-20
QPA9805SR	LGA-16
QPA3333TR13	SMD
QPF4288SR	QFN-24
QPA9421SR	SMD-14
RFCM3327SR	QFN-8
RFCM3328SR	QFN-8
QPF4200SR	QFN
QPB8857TR13	QFN-40
QPC8013QSR	SMD-13
QPM2637TR7	QFN-28
QPB8958SR	QFN-40
QPA4428SR	QFN-40

Часто задаваемые вопросы

Являются ли ваши продукты оригинальными?

Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.

Какие у вас есть сертификаты?

Мы являемся компанией, сертифицированной по стандарту ISO 9001:2015, и членом ERAI.

Можете ли вы поддержать заказ небольшого количества или образец? Бесплатен ли образец?

Да, мы поддерживаем заказ образцов и небольшие заказы. Стоимость образца зависит от вашего заказа или проекта.

Как отправить мой заказ? Это безопасно?

Мы используем экспресс-доставку, такую как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать вашего предложенного экспедитора. Продукты будут хорошо упакованы и обеспечат безопасность, и мы несем ответственность за повреждение продукта вашего заказа.

Как насчет времени выполнения заказа?

Мы можем отправить детали со склада в течение 5 рабочих дней. Если нет в наличии, мы подтвердим время выполнения заказа для вас в зависимости от количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

EPC2051 Чип интегрированной схемы eGaN FET Транзистор с напряжением источника оттока 100 В 1.7 А непрерывным током оттока и сопротивлением источника оттока 25 мОм

EPC2051 Чип интегрированной схемы eGaN FET Транзистор с напряжением источника оттока 100 В 1.7 А непрерывным током оттока и сопротивлением источника оттока 25 мОм

EPC2051 Чип интегрированной схемы eGaN FET Транзистор с напряжением источника оттока 100 В 1.7 А непрерывным током оттока и сопротивлением источника оттока 25 мОм

Напряжение сток-исток 100 В

полевой транзистор eGaN

Силовой транзистор с непрерывным током 1

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,