Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET транзисторный интегральный микросхема чип

Name: IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET транзисторный интегральный микросхема чип
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IPAW60R280P7S
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21233)

BT IC
(558)

Автомобильные модули IGBT
(2226)

Микроконтроллер MCU
(14929)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1304)

Вентильная матрица поля Programmable
(7008)

ИС Ethernet
(1075)

Коннекторы
(3512)

Микросхема памяти
(2615)

Датчик IC
(2515)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3738)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(9124)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET транзисторный интегральный микросхема чип

Большие изображения : IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET транзисторный интегральный микросхема чип

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	IPAW60R280P7S

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	TO-220-3
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET транзисторный интегральный микросхема чип

Описание

Номер детали:	IPAW60R280P7S	ID (@25°C) макс.:	12 А
Напряжение стока к источнику (Vdss):	600 В	Рассеяние власти (макс):	24 Вт (Tc)
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:	18 nC @ 10 v	Рабочая температура:	-40 °C к °C 150
Выделить:	MOSFET-транзистор сток-источник напряжения 600 В , Интегральная микросхема с постоянным током стока 12 А , Технология суперперехода CoolMOS™ P7

IPAW60R280P7S интегральный микросхема 600V CoolMOSTM P7 сверхсоединение MOSFET транзисторы

IPAW60R280P7S - это 600-вольный суперсоединительный MOSFET-транзистор CoolMOSTM P7, являющийся преемником серии CoolMOSTM P6.Этот передовой компонент балансирует высокие требования эффективности с легкостью использования процесса проектирования, с лучшим в своем классе R_наx A и врожденно низкий заряд шлюза (Q_G) с платформы CoolMOSTM 7-го поколения.

Технические спецификации

Параметр	Стоимость
Серия	CoolMOSTM P7
Тип FET	N-канал
Технологии	MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (V)_dss)	600 В
Постоянный отводный ток (I)_d) @ 25°C	12A (T)_в)
Напряжение привода (max R)_дсДавай, Мин Р._дсВключено)	10 В
R_дсНа (максимум) @ I_d, V_gs	280mΩ @ 3,8A, 10В
V_gs(th)(Макс) @ I_d	4В @ 190μA
Сбор за вход (Q)_g) (максимум) @ V_gs	18 nC @ 10 В
V_gs(Макс)	± 20 В
Входная емкость (C)_Исс) (максимум) @ V_дс	761 pF @ 400 В
Рассеивание энергии (макс.)	24 Вт (Т)_в)
Операционная температура	-40 °C ~ 150 °C (T)_J)
Тип установки	Через дыру
Пакет изделий поставщика	PG-TO220-FP
Пакет / чемодан	TO-220-3 Полная упаковка

Ключевые особенности

600В P7 обеспечивает отличную FOM R_{Включено.}x E_Осси R_{Включено.}x Q_G
Прочность ESD ≥ 2 кВ (класс HBM 2)
Интегрированный резистор R_G
Прочный диод корпуса
Широкий портфель через отверстия и на поверхности
Доступны как стандартные, так и промышленные детали

Преимущества производительности

Отличные формы R_{Включено.}x Q_G/R_{Включено.}x E_Осспозволяет повысить эффективность
Улучшение простоты использования при проектировании и реализации
Защита от ESD предотвращает сбои в производственной среде
Интегрированная R_Gуменьшает чувствительность колебаний MOSFET
Подходит как для твердых, так и для резонансных топологий переключения, включая PFC и LLC
Отличная прочность при жесткой коммутации диода корпуса в топологии LLC
Универсальное применение для различных конечных целей и мощностей выпуска
Части, доступные как для потребительских, так и для промышленных применений

Сопутствующие компоненты на складе

Номер части	Пакет
1ST040EH1F35I2LG	1152-BBGA
1SG110HN3F43I3VG	1760-BBGA
1SG110HN3F43E2VG	1760-BBGA
1SG110HN3F43E2VGS1	1760-BBGA
1SD110PJ3F43E3VG	1760-BBGA
1SG085HN3F43I2VG	1760-BBGA
1SG085HN2F43E2VG	1760-BBGA
5AGTFD7K3F40I3G	1517-BBGA
1SG085HN3F43E2LG	1760-BBGA
1SG166HN3F43E3VG	1760-BBGA
1SG165HN3F43E3VG	1760-BBGA
1SG085HN3F43E3XG	1760-BBGA
5AGZME7K3F40I4G	1517-BBGA
5AGZME7K2F40C3G	1517-BBGA
5AGZME5K2F40I3LG	1517-BBGA
1SG110HN3F43E1VG	1760-BBGA
1SG085HN3F43I1VG	1760-BBGA
1SG085HN1F43E2VG	1760-BBGA
1SG085HN2F43E1VG	1760-BBGA
1SG110HN3F43I2VG	1760-BBGA
1SG110HN2F43E2VG	1760-BBGA
1SD110PJ3F43I3VG	1760-BBGA
1SG085HN2F43I2VG	1760-BBGA
5AGZME7H2F35I3LG	1152-BBGA
1SG110HN3F43E2LG	1760-BBGA
1SG085HN3F43I2LG	1760-BBGA
1SG085HN2F43E2LG	1760-BBGA
1ST085EN3F43E3VG	1760-BBGA
1ST085EN3F43E3VGAS	1760-BBGA
1SG166HN3F43I3VG	FBGA-1760

Часто задаваемые вопросы

Ваши изделия оригинальные?

Да, все товары оригинальные.

Какие у вас сертификаты?

Мы сертифицированная компания ISO 9001:2015 и член ERAI.

Вы можете поддержать небольшое количество заказов или образцы? Образец бесплатный?

Да, мы поддерживаем заказы на образцы и небольшие заказы. Стоимость образца варьируется в зависимости от вашего заказа или требований проекта.

Как отправить мой заказ?

Мы используем экспресс-перевозчиков, включая DHL, FedEx, UPS, TNT и EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор. Продукты надежно упакованы, чтобы обеспечить безопасность,и мы несем ответственность за любые повреждения продукта в вашем заказе.

А как насчет времени?

Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Для предметов, которые не находятся на складе, мы подтвердим время доставки на основе количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET транзисторный интегральный микросхема чип

IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET транзисторный интегральный микросхема чип

IPAW60R280P7S 600V 12A CoolMOSTM P7 Superjunction MOSFET транзисторный интегральный микросхема чип

MOSFET-транзистор сток-источник напряжения 600 В

Интегральная микросхема с постоянным током стока 12 А

Технология суперперехода CoolMOS™ P7

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,