Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Power MOSFET транзистор с напряжением источника оттока 25 Вт 54 А непрерывным током оттока и рассечением мощности 150 Вт

Name: IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Power MOSFET транзистор с напряжением источника оттока 25 Вт 54 А непрерывным током оттока и рассечением мощности 150 Вт
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IQEH50NE2LM7ZCG
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21274)

BT IC
(558)

Автомобильные модули IGBT
(2226)

Микроконтроллер MCU
(14929)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1304)

Вентильная матрица поля Programmable
(7008)

ИС Ethernet
(1075)

Коннекторы
(3512)

Микросхема памяти
(2616)

Датчик IC
(2515)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3749)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(9624)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Power MOSFET транзистор с напряжением источника оттока 25 Вт 54 А непрерывным током оттока и рассечением мощности 150 Вт

Большие изображения : IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Power MOSFET транзистор с напряжением источника оттока 25 Вт 54 А непрерывным током оттока и рассечением мощности 150 Вт

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	IQEH50NE2LM7ZCG

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	ПГ-ТТФН-9-3
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Power MOSFET транзистор с напряжением источника оттока 25 Вт 54 А непрерывным током оттока и рассечением мощности 150 Вт

Описание

Номер детали:	IQEH50NE2LM7ZCG	Транзистор Полярит:	N-канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток:	25 В	Id — непрерывный ток стока:	422 a
Pd — рассеиваемая мощность:	150 Вт	Qg - Плата за ворота:	29 н.э.
Выделить:	Транзистор MOSFET мощностью 25 В , Мощный МОП-транзистор с постоянным током стока 54 А , Рассеиваемая мощность 150 Вт MOSFET-транзистор

IQEH50NE2LM7ZCG интегральные микросхемы OptiMOSTM 7 N-канал 25V 54A мощность MOSFET транзисторы

Обзор продукции

IQEH50NE2LM7ZCG - это OptiMOSTM 7 N-Channel 25V 54A Power MOSFET Transistor.Инфраструктура ИИ, и другие сложные приложения.

Технические спецификации

Тип FET	N-канал
Технологии	MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss)	25 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C	54A (Ta), 422A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено)	4.5В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.5 мОм @ 20А, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.7В @ 432μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs	63 nC @ 10 В
Vgs (макс.)	± 12 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds	6100 pF @ 12 В
Рассеивание энергии (макс.)	2.5 Вт (Ta), 150 Вт (Tc)
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Ключевые особенности

Оптимизация жесткого и мягкого переключения
Сдвиг на жестком переключении: отношение Миллера, FOM, RDS (включено) 10
Пропускная способность: RDS ((on) 45, FOMQg
Нормальная температура соединения +175°C
Варианты пакетов с источником
Отпечаток центральной двери, DSC с переплавкой

Преимущества производительности

Оптимизация для конкретного приложения
Улучшение эффективности работы
Усовершенствованная устойчивость при включении
Уменьшение потерь водителя и перехода
Снижение потерь проводности
Повышенная надежность и плотность мощности
Высокие тепловые возможности
Паразитарные препараты с уменьшенной упаковкой
Упрощенное параллельное установление MOSFET

Целевые приложения

Решения для центров обработки данных и центров обработки данных ИИ
48 В преобразователь промежуточной шины (IBC)
Телекоммуникационная инфраструктура
Системы преобразования мощности
Серверные энергоблок (PSU)

Связанные электронные компоненты

NCL30488B1DR2G	7-SOIC
NCL30488B2DR2G	7-SOIC
NCL30486B2DR2G	9-SOIC
LT3744IUHE	36-QFN
MPQ3326AGRE-AEC1	24-QFN
NCL31000MNSTWG	48-QFN
MAX16835ATE	16-TQFN
MAX20070BGTJA/V	32-TQFN
TLD21421EPXUMA1	TSDSO-14
LT3475EFE-1	20-TSSOP
LT3797ELXE	48-LQFP
LT8500ETJ	QFN-56
LT3755HMSE-2	16-MSOP
TLD5097EPXUMA1	TSDSO-14
TLD5190QUXUMA1	TQFP-48
MAX20051AUD/V	14-TSSOP
LTC3218EDDB	10-DFN
LP8861QPWPRQ1	20-HTSSOP
MAX20070GTJ/V	32-TQFN
LT3761HMSE	16-MSOP
ADP1650ACPZ	10-LFCSP
TPS923655DMTR	14-VSON
TPS923652DYYR	SOT-23-14
TPS923655HMDMTR	14-VSON
TPS923654DRRR	12-SON
TPS923654HMDMTR	14-VSON
TPS923655MDMTR	14-VSON
TPS923654MDMTR	14-VSON
TPS923653DYYR	SOT-23-14
TPS923654DMTR	14-VSON

Часто задаваемые вопросы

Ваши изделия оригинальные?

Да, все товары оригинальные.

Какие у вас сертификаты?

Мы сертифицированная компания ISO 9001:2015 и член ERAI.

Вы можете поддержать небольшое количество заказов или образцы? Образец бесплатный?

Да, мы поддерживаем заказы на образцы и небольшие заказы. Стоимость образца варьируется в зависимости от вашего заказа или требований проекта.

Как отправить мой заказ?

Мы используем экспресс-перевозчиков, таких как DHL, FedEx, UPS, TNT и EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор. Продукты профессионально упакованы, чтобы обеспечить безопасность,и мы несем ответственность за любые повреждения продукта в вашем заказе.

А как насчет времени?

Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Для предметов, которые не находятся на складе, мы подтвердим время доставки на основе количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Power MOSFET транзистор с напряжением источника оттока 25 Вт 54 А непрерывным током оттока и рассечением мощности 150 Вт

IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Power MOSFET транзистор с напряжением источника оттока 25 Вт 54 А непрерывным током оттока и рассечением мощности 150 Вт

IQEH50NE2LM7ZCG OptiMOSTM 7 Power MOSFET транзистор с напряжением источника оттока 25 Вт 54 А непрерывным током оттока и рассечением мощности 150 Вт

Транзистор MOSFET мощностью 25 В

Мощный МОП-транзистор с постоянным током стока 54 А

Рассеиваемая мощность 150 Вт MOSFET-транзистор

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,