Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 344 А и сопротивлением источника отвода 900 уОмм

Name: ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 344 А и сопротивлением источника отвода 900 уОмм
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: ISC009N06NM6
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21274)

BT IC
(558)

Автомобильные модули IGBT
(2226)

Микроконтроллер MCU
(14929)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1304)

Вентильная матрица поля Programmable
(7008)

ИС Ethernet
(1075)

Коннекторы
(3512)

Микросхема памяти
(2616)

Датчик IC
(2515)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3749)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(9624)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 344 А и сопротивлением источника отвода 900 уОмм

Большие изображения : ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 344 А и сопротивлением источника отвода 900 уОмм

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	ISC009N06NM6

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	PG-TDSON-8
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 344 А и сопротивлением источника отвода 900 уОмм

Описание

Номер детали:	ISC009N06NM6	Полярность транзистора:	N-канал
Vds — напряжение пробоя сток-исток:	60 В	Id — непрерывный ток стока:	344 А
Rds On – сопротивление сток-исток:	900 уомм	Qg - Плата за ворота:	121 nC
Выделить:	Силовой МОП-транзистор с напряжением сток-исток 60 В , 344A Мощный MOSFET-транзистор с непрерывным током стока , Силовой МОП-транзистор с сопротивлением сток-исток 900 мкОм

ISC009N06NM6 Чип интегральной схемы OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Транзистор

ISC009N06NM6 Чип интегральной схемы OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Транзистор

Описание продукта

ISC009N06NM6 представляет собой 60V OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor. По сравнению со своим предшественником, OptiMOSTM 5, новейшая технология Infineon предлагает значительное улучшение производительности,в том числе > 37% ниже RDS ((on) и ~ 25% улучшенный FOMQg x RDS ((on).

Спецификации

Серия	OptiMOSTM 6 Силовой транзистор
Тип FET	N-канал
Технологии	MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss)	60 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C	40A (Ta), 344A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено)	8В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.9mOhm @ 50A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.3В @ 118μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs	121 nC @ 10 В
Vgs (макс.)	± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds	8300 pF @ 30 В
Рассеивание энергии (макс.)	3 Вт (Ta), 221 Вт (Tc)
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки	Поверхностный монтаж
Пакет изделий поставщика	PG-WSON-8-2
Пакет / чемодан	8-PowerWDFN

Ключевые особенности

Технология высокопроизводительного кремния
Оптимизировано мягкое переключение
Движение ворот на нормальном уровне
175°C
Промышленная квалификация
Двухсторонняя охлажденная упаковка с наименьшим тепловым сопротивлением на вершине стыка
Оптимизирован для высокопроизводительных SMPS
Оптимизирован для низковольтных приводов и аккумуляторных приложений
N-канал, нормальный уровень
Очень низкое сопротивление RDS (включено)
Высокое тепловое сопротивление
100% испытание на лавину

Заявления

Двигатель общего назначения
Телекоммуникационная инфраструктура
Системы управления аккумуляторами (BMS)
Серверные энергоблок (PSU)
Преобразование мощности постоянного тока в постоянный ток

Другие электронные компоненты на складе

Номер части	Пакет
LC86GLAMD	Модуль
ZED-F9P-01B	54-LGA
LC29HAAMD	Модуль
SAM-M8Q-0	20-SMD
ZED-F9T-10B-01	54-LGA
ZED-F9T-10B-00	54-LGA
ZED-F9T-10B	LGA
LC86LICMD	Модуль
LG77LICMD	Модуль
LG69TAPMD	Модуль
L89HA-S90	16-SMD модуль
LC79DAMD	Модуль
EVA-M8E-0-11	43-TFLGA
NEO-F10T-00B	Модуль 24-SMD
LC76GABMD	Модуль
LC76GPBMD	Модуль
LC29DCMD	Модуль
LC29DAEK	Модуль
LC29DBMD	Модуль
LC29DBEK	Модуль
LG69TAAEK	Модуль
LC79HALEK	Модуль
LC29DEAMD	Модуль
LC79HIAEK	Модуль
LG77LICEK	Модуль
LC29DCEK	Модуль
LC29 HAAEK	Модуль
LC29DEAEK	Модуль
LG69TAPEK	Модуль
L26ADRA-S89A	Модуль 24-SMD

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Ваши изделия оригинальные?

О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.

Вопрос: Какие у вас сертификаты?

О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.

Вопрос: Вы можете поддержать небольшое количество заказа или образцы?

О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.

Вопрос: Как отправить мой заказ?

A: Мы используем экспресс для отправки, такие как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукты будут в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.

Вопрос: Как насчет сроков?

A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 344 А и сопротивлением источника отвода 900 уОмм

ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 344 А и сопротивлением источника отвода 900 уОмм

ISC009N06NM6 OptiMOSTM 6 N-Channel Power MOSFET Transistor с напряжением источника отвода 60 В, непрерывным током отвода 344 А и сопротивлением источника отвода 900 уОмм

Силовой МОП-транзистор с напряжением сток-исток 60 В

344A Мощный MOSFET-транзистор с непрерывным током стока

Силовой МОП-транзистор с сопротивлением сток-исток 900 мкОм

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,