Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

IQE031N08LM6CGSC Integrated Circuit Chip N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET с рассеиванием мощности 125 Вт

Name: IQE031N08LM6CGSC Integrated Circuit Chip N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET с рассеиванием мощности 125 Вт
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IQE031N08LM6CGSC
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21274)

BT IC
(558)

Автомобильные модули IGBT
(2226)

Микроконтроллер MCU
(14929)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1304)

Вентильная матрица поля Programmable
(7008)

ИС Ethernet
(1075)

Коннекторы
(3512)

Микросхема памяти
(2616)

Датчик IC
(2515)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3749)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(9624)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

IQE031N08LM6CGSC Integrated Circuit Chip N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET с рассеиванием мощности 125 Вт

Большие изображения : IQE031N08LM6CGSC Integrated Circuit Chip N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET с рассеиванием мощности 125 Вт

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	IQE031N08LM6CGSC

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	PG-WHTFN-9
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

IQE031N08LM6CGSC Integrated Circuit Chip N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET с рассеиванием мощности 125 Вт

Описание

Номер детали:	IQE031N08LM6CGSC	Напряжение стока к источнику (Vdss):	80 В
Минимальная рабочая температура::	- 55 c	Максимальная рабочая температура::	+ 175 c
Pd – Рассеиваемая мощность::	125 Вт	Прямая крутизна - мин.::	55 с
Выделить:	80 В силовой МОП-транзистор , Интегральная микросхема с рассеиваемой мощностью 125 Вт , N-канальный OptiMOS™ 6

IQE031N08LM6CGSC интегральная схема чип N-канал 80V OptiMOS TM 6 мощности MOSFET транзисторы

Обзор продукции

IQE031N08LM6CGSC представляет собой новый лучший в своем классе OptiMOSTM 6 мощности MOSFET 80 V логический уровень в PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate (CG) двусторонний охлаждающий (DSC) пакет,предлагает наименьшее сопротивление RDS ((on) в отрасли при 25 ̊C, превосходные тепловые характеристики и оптимизированная параллелизация.

Технические спецификации

Параметр	Стоимость
Тип FET	N-канал
Технологии	MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss)	80 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C	18A (Ta), 127A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено)	4.5В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.15mOhm @ 20A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.3В @ 50,8μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs	68 nC @ 10 В
Vgs (макс.)	± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds	4600 pF @ 40 В
Рассеивание энергии (макс.)	2.5 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Ключевые особенности

Уровень логики позволяет снизить Qrr и QOSS
Центровые ворота оптимизированы для параллелизации
До 35% ниже RDS ((on) по сравнению с предыдущим поколением
Новые, оптимизированные возможности планировки

Преимущества производительности

Позволяет максимальную плотность мощности и производительность
Высокая тепловая производительность
Эффективная планировка для использования пространства
Упрощенная параллелизация MOSFET
Улучшенные потери ПХБ

Заявления

48 В преобразователь промежуточной шины (IBC)
Телекоммуникационная инфраструктура

Сопутствующие компоненты на складе

Номер части	Пакет
ISOUSB211DPR	28-SSOP
TPS25859QRPQRQ1	25-VQFN
TPS25868QRPQRQ1	25-VQFN
TPS25846QCWRHBRQ1	32-VQFN
TPS25833QCWRHBRQ1	32-VQFN
TPS25852QRPQRQ1	25-VQFN
TPS25831QWRHBRQ1	32-VQFN
TPS25762CAQRQLRQ1	29-VQFN
TPS25730SRSMR	32-VQFN
TUSB211ARWBR	12-XFQFN
TUSB211AIRWBR	12-X2QFN
TPS25730DREFR	38-WQFN
TPD3S713AQRVCRQ1	20-WQFN
TUSB2E22RZAR	20-VQFN
AM6421BSDGHAALVR	441-FCBGA
AM6442BSEGHAALV	441-FCBGA
AM6251ATCGHAALW	425-FCCSP
DRA821U4TGBALMR	433-FCBGA
DRA821U2CGBALMR	433-FCBGA
AM6254ATGFHIAMCRQ1	441-FCBGA
LMK1D1216RGZR	48-VQFN
LMK1C1108PWR	16-TSSOP
2EDN7534R	TSSOP-8
2EDF7275K	TFLGA-13
2EDN8534R	TSSOP-8
2ED2101S06F	DSO-8
TDA21590	QFN-39
2EDN7533R	TSSOP-8
1ED3461MC12M	DSO-16
2EDN7434R	TSSOP-8

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Ваши изделия оригинальные?

О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.

Вопрос: Какие у вас сертификаты?

О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.

Вопрос: Вы можете поддержать небольшое количество заказа или образцы?

О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.

Вопрос: Как отправить мой заказ?

A: Мы используем экспресс для отправки, такие как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукты будут в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.

Вопрос: Как насчет сроков?

A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

IQE031N08LM6CGSC Integrated Circuit Chip N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET с рассеиванием мощности 125 Вт

IQE031N08LM6CGSC Integrated Circuit Chip N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET с рассеиванием мощности 125 Вт

IQE031N08LM6CGSC Integrated Circuit Chip N-Channel 80V OptiMOSTM 6 Power MOSFET с рассеиванием мощности 125 Вт

80 В силовой МОП-транзистор

Интегральная микросхема с рассеиваемой мощностью 125 Вт

N-канальный OptiMOS™ 6

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,