Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

IPDQ60R055CM8 600V 45A N-Channel Power MOSFET транзистор с уменьшенным зарядом шлюза CoolMOSTM 8 интегральный микросхема чип

Name: IPDQ60R055CM8 600V 45A N-Channel Power MOSFET транзистор с уменьшенным зарядом шлюза CoolMOSTM 8 интегральный микросхема чип
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IPDQ60R055CM8
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21274)

BT IC
(558)

Автомобильные модули IGBT
(2226)

Микроконтроллер MCU
(14929)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1304)

Вентильная матрица поля Programmable
(7008)

ИС Ethernet
(1075)

Коннекторы
(3512)

Микросхема памяти
(2616)

Датчик IC
(2515)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3749)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(9624)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

IPDQ60R055CM8 600V 45A N-Channel Power MOSFET транзистор с уменьшенным зарядом шлюза CoolMOSTM 8 интегральный микросхема чип

Большие изображения : IPDQ60R055CM8 600V 45A N-Channel Power MOSFET транзистор с уменьшенным зарядом шлюза CoolMOSTM 8 интегральный микросхема чип

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	IPDQ60R055CM8

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	Q-ДПАК-22
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

IPDQ60R055CM8 600V 45A N-Channel Power MOSFET транзистор с уменьшенным зарядом шлюза CoolMOSTM 8 интегральный микросхема чип

Описание

Номер детали:	IPDQ60R055CM8	ID (@ TC=25°C) макс.:	45 a
ID (@25°C) макс.:	45 a	IDпульс (@25°C) макс.:	148 a
RDS (вкл.) (@ Tj = 25°C):	45,83315 мОм	Ptot (@25°C) максимальное:	236 Вт
Выделить:	Силовой МОП-транзистор 600 В , Интегральная микросхема 45А , Уменьшенный заряд затвора CoolMOS™ 8

IPDQ60R055CM8 интегральная схема чип N-канал 600V CoolMOSTM 8 мощность MOSFET транзисторы

Обзор продукции

IPDQ60R055CM8 - это N-Channel 600V CoolMOSTM 8 Power MOSFET транзистор с значительным улучшением производительности по сравнению с предыдущими поколениями.Этот продвинутый мощный полупроводник обеспечивает снижение заряда шлюза (Qg) на 20% по сравнению с CFD7, улучшенное сокращение потерь отключения (Eoss) на 12% по сравнению с CFD7, более низкая обратная комиссия за восстановление (Qrr) на 3% по сравнению с CFD7, и имеет самое низкое время обратного восстановления (trr), доступное на рынке.

Технические спецификации

Параметр	Стоимость
ID (@ TC=25°C) максимум	45 А
ID (@25°C) максимум	45 А
IDpuls (@25°C) максимум	148 А
Установка	SMT
Рабочая температура (Tj)	-55 °C до 150 °C
Пакет	Q-DPAK
Полярность	N
Ptot (@25°C) максимум	236 Вт
QG (тип @10V)	51 н.э.
RDS (включен) (@ Tj = 25°C)	450,83315 мΩ
Максимальный VDS	600 В
VGS ((th)	4.2 В

Ключевые особенности

Значительное сокращение потерь
Отличная прочность коммутации
Интегрированный быстрый корпусный диод
Технология взаимосвязи XT
Защита от ESD
Пакет QDPAK для верхнего охлаждения
надежность TCoB 12000 циклов

Преимущества применения

Повышенная плотность мощности
Легкость использования и быстрая конструкция
Низкая склонность к звонку
Упрощенное тепловое управление
Упрощенный выбор портфеля
Производство, совместимое с SMT
Снижение стоимости сборки
Сниженная пробежная индуктивность
Сокращение пространства при проектировании ПКБ

Доступные связанные электронные компоненты

Номер части	Пакет
2ED21094S06J	DSO-14
TLE9180D31QK	LQFP-64
TLE75004EPD	TSDSO-14
1EDI2010AS	DSO-36
1EDN7512G	WSON-6
TLE9183QK	LQFP-64
2EDS8165H	DSO-16
2EDN7534B	SOT-23-6
2EDN8533F	DSO-8
1EDI60H12AH	DSO-8
1EDB9275F	DSO-8
1EDI3020AS	DSO-20
2ED21084S06J	DSO-14
ISO2H823V25	VQFN-70
1EDC20I12AH	DSO-8
1EDS5663H	DSO-16
1EDC60I12AH	DSO-8
TDA21490	QFN-39
2EDN7534G	WSON-8
2EDN7534F	DSO-8
2ED2104S06F	DSO-8
1EDC20I12MH	DSO-8
IRS2008MTRPBF	14-MLPQ
1EDN9550B	SOT-23-6
1EDI3033AS	DSO-20
1EDI3021AS	DSO-20
TLE9180D21QK	LQFP-64
1ED3461MU12M	DSO-16
1EDI3023AS	DSO-20
1EDI2004AS	DSO-36

Часто задаваемые вопросы

Ваши изделия оригинальные?

Да, все продукты оригинальные, новые оригинальные импорт - это наша цель.

Какие у вас сертификаты?

Мы сертифицированная компания ISO 9001:2015 и член ERAI.

Вы можете поддержать небольшое количество заказов или образцы? Образец бесплатный?

Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.

Как отправить мой заказ?

Мы используем экспресс для доставки, такие как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукты будут в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.

А как насчет времени?

Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

IPDQ60R055CM8 600V 45A N-Channel Power MOSFET транзистор с уменьшенным зарядом шлюза CoolMOSTM 8 интегральный микросхема чип

IPDQ60R055CM8 600V 45A N-Channel Power MOSFET транзистор с уменьшенным зарядом шлюза CoolMOSTM 8 интегральный микросхема чип

IPDQ60R055CM8 600V 45A N-Channel Power MOSFET транзистор с уменьшенным зарядом шлюза CoolMOSTM 8 интегральный микросхема чип

Силовой МОП-транзистор 600 В

Интегральная микросхема 45А

Уменьшенный заряд затвора CoolMOS™ 8

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,