Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

ИСЗ028Н03ЛФ2С интегральный микросхема чип 30В 128А StrongIRFETTM 2 мощность MOSFET транзистор с 2,8mOhm RDS ((on)

Name: ИСЗ028Н03ЛФ2С интегральный микросхема чип 30В 128А StrongIRFETTM 2 мощность MOSFET транзистор с 2,8mOhm RDS ((on)
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: ИСЗ028Н03ЛФ2С
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21335)

BT IC
(558)

Автомобильные модули IGBT
(2226)

Микроконтроллер MCU
(15009)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1304)

Вентильная матрица поля Programmable
(7008)

ИС Ethernet
(1075)

Коннекторы
(3512)

Микросхема памяти
(2616)

Датчик IC
(2526)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3752)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(10021)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

ИСЗ028Н03ЛФ2С интегральный микросхема чип 30В 128А StrongIRFETTM 2 мощность MOSFET транзистор с 2,8mOhm RDS ((on)

Большие изображения : ИСЗ028Н03ЛФ2С интегральный микросхема чип 30В 128А StrongIRFETTM 2 мощность MOSFET транзистор с 2,8mOhm RDS ((on)

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	ИСЗ028Н03ЛФ2С

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	PG-TSDSON-8
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

ИСЗ028Н03ЛФ2С интегральный микросхема чип 30В 128А StrongIRFETTM 2 мощность MOSFET транзистор с 2,8mOhm RDS ((on)

Описание

Номер детали:	ИСЗ028Н03ЛФ2С	Vds — напряжение пробоя сток-исток:	30 В
Id — непрерывный ток стока:	128 А	Rds On – сопротивление сток-исток:	20,8 мОмм
Qg - Плата за ворота:	27 nC	Pd — рассеиваемая мощность:	83 w
Выделить:	Интегральная микросхема с напряжением сток-исток 30 В , Мощный MOSFET-транзистор с постоянным током стока 128 А , Сопротивление сток-исток 2

Чип интегральной схемы ISZ028N03LF2S 30V 128A StrongIRFETTM 2 Мощные транзисторы MOSFET

Обзор продукции

ISZ028N03LF2S представляет собой 30В, 128A StrongIRFETTM 2 Power MOSFET транзистор с лучшим в своем классе RDS ((on) 2,8 мОм в компактном пакете PQFN 3,3 x 3,3.Этот продвинутый компонент рассматривает широкий спектр приложений от низких до высоких частот переключения.

По сравнению с предыдущими технологиями ISZ028N03LF2S достигает улучшения RDS ((on) до 40%, обеспечивая улучшение FOM до 60% и отличную эксплуатационную надежность.

Технические спецификации

Серия	StrongIRFETTM 2
Тип FET	N-канал
Технологии	MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss)	30 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C	22A (Ta), 128A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено)	4.5В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 20A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.35В @ 30μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs	19 nC @ 4,5 В
Vgs (макс.)	± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds	1780 pF @ 15 В
Рассеивание энергии (макс.)	3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc)
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки	Поверхностный монтаж
Пакет изделий поставщика	PG-TSDSON-8 FL
Пакет / чемодан	8-PowerTDFN

Ключевые особенности

Оптимизирован для широкого спектра применений
N-канал, конструкция логического уровня
100% проверка надежности на лавине
Номинальная температура 175°C
универсальность продукции общего назначения
Отличная эксплуатационная устойчивость
Высокое соотношение цена/производительность
Широкая доступность у дистрибьюторов
Стандартные упаковки и выписка
Высокие стандарты производства и поставок

Типичные применения

Потребительская электроника
Зарядные устройства и адаптеры USB-C
Мультикоптеры и беспилотные летательные аппараты
Электроинструменты
Беспроводные электрические инструменты и оборудование для наружного питания
Промышленные двигатели и приборы управления
Системы управления аккумуляторами (BMS)
Системы преобразования мощности

Сопутствующие электронные компоненты на складе

Номер части	Пакет
ESP-WROOM-02U-N2	Модуль
DA16200MOD-AAE4WA32	Модуль
IFW56810-00	Модуль
ESP32-S3-MINI-1U-N8	VFQFN-56
WFM200SS22XNN3R	QFN
WGM160P022KGN4R	Модуль
FCU741RACTA	Модуль
BCM63177A2UFKFEBG	BGA
BCM4366KMMLW1G	QFN
MGM240PB32VNN3	Модуль
M2-JODY-W377-00C	Модуль
ODIN-W262-05B	Модуль
MGM210PB22JIA2R	Модуль
МТ7663БСН/Б	Модуль
MT7921LEN/B	QFN
MC60ECB-04-BLE	ЛСК
RS9116N-DB00-CC0-B00	LGA-173
MGM13P12F512GE-V2	Модуль
DA16600MOD-AAC4WA32	Модуль
ESP32-WROVER-IE-N16R8	Модуль
ATWINC3400-MR210CA143-T	Модуль
ATWINC3400-MR210UA143-T	Модуль
ATWINC3400-MR210CA142	Модуль
LBEE5ZZ2XS-846	Модуль
LBUA0VG2BP-741	LGA
LBEE5XV1XA-540	Модуль
LBWA0ZZ2DS-688	Модуль
LBWA1KL1FX-875	Модуль
LBWA1UZ1GC-901	Модуль
MGM13P02F512GE-V2R	Модуль

Часто задаваемые вопросы

Ваши изделия оригинальные?

Да, все продукты оригинальные, новые оригинальные импорт - это наша цель.

Какие у вас сертификаты?

Мы сертифицированная компания ISO 9001:2015 и член ERAI.

Вы можете поддержать небольшое количество заказов или образцы? Образец бесплатный?

Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.

Как отправить мой заказ?

Мы используем экспресс для доставки, такие как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукты будут в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.

А как насчет времени?

Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.

Общий рейтинг

5.0

Основано на 50 отзывах об этом поставщике

Оценка

Ниже представлено распределение всех рейтингов:

5 звезды

100%

4 звезды

3 звезды

2 звезды

1 звезды

Все отзывы

し

しょうた

Japan Oct 23.2025

Полезно (50)

It is a great shopping experience,the sales are very professional and very enthusiasm，fast delivery，good quality ,i will buy them next time!

FRANCK

France Sep 10.2025

Полезно (10)

Good product quality, purchasing for the umpteenth time never disappoints, honest and trustworthy seller.recommended!

Jose

South Korea May 24.2025

Полезно (28)

Supplier is highly recommended, kind and fast response.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

ИСЗ028Н03ЛФ2С интегральный микросхема чип 30В 128А StrongIRFETTM 2 мощность MOSFET транзистор с 2,8mOhm RDS ((on)

ИСЗ028Н03ЛФ2С интегральный микросхема чип 30В 128А StrongIRFETTM 2 мощность MOSFET транзистор с 2,8mOhm RDS ((on)

ИСЗ028Н03ЛФ2С интегральный микросхема чип 30В 128А StrongIRFETTM 2 мощность MOSFET транзистор с 2,8mOhm RDS ((on)

Интегральная микросхема с напряжением сток-исток 30 В

Мощный MOSFET-транзистор с постоянным током стока 128 А

Сопротивление сток-исток 2

Общий рейтинг

Оценка

Все отзывы

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,