Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

ISC019N08NM7 Чип интегральной схемы 80V 209A 1.9mOhm OptiMOSTM 7 N-Channel Power MOSFET Транзистор

Name: ISC019N08NM7 Чип интегральной схемы 80V 209A 1.9mOhm OptiMOSTM 7 N-Channel Power MOSFET Транзистор
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: ISC019N08NM7
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21274)

BT IC
(558)

Автомобильные модули IGBT
(2226)

Микроконтроллер MCU
(14929)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1304)

Вентильная матрица поля Programmable
(7008)

ИС Ethernet
(1075)

Коннекторы
(3512)

Микросхема памяти
(2616)

Датчик IC
(2515)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3749)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(9624)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

ISC019N08NM7 Чип интегральной схемы 80V 209A 1.9mOhm OptiMOSTM 7 N-Channel Power MOSFET Транзистор

Большие изображения : ISC019N08NM7 Чип интегральной схемы 80V 209A 1.9mOhm OptiMOSTM 7 N-Channel Power MOSFET Транзистор

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	ISC019N08NM7

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	PG-TDSON-8
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

ISC019N08NM7 Чип интегральной схемы 80V 209A 1.9mOhm OptiMOSTM 7 N-Channel Power MOSFET Транзистор

Описание

Номер детали:	ISC019N08NM7	Полярность транзистора::	N-канал
Количество каналов::	1 канал	Vds – напряжение пробоя сток-исток::	80 В
Id — непрерывный ток стока::	209 А	Rds On – сопротивление сток-исток::	1,9 mOhms
Выделить:	80 В силовой МОП-транзистор , Интегральная микросхема 209А , 1

ISC019N08NM7 Чип интегральной схемы 80V 26A OptiMOSTM 7 N-Channel Power MOSFET транзисторы

ISC019N08NM7 OptiMOSTM 7 80 V представляет собой новейшую технологию, устанавливающую новый отраслевой стандарт для оптимального баланса между энергоэффективностью, производительностью и рентабельностью.

Спецификации продукции

Параметр	Стоимость
Тип FET	N-канал
Технологии	MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss)	80 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C	26A (Ta), 209A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено)	7В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 50A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.2В @ 87μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs	78 nC @ 10 В
Vgs (макс.)	± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds	5633 pF @ 40 В
Рассеивание энергии (макс.)	3 Вт (Ta), 188 Вт (Tc)
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Ключевые особенности

Технология высокопроизводительного кремния
Движение ворот на нормальном уровне
Мощность номинальной температуры 175°C
Промышленные квалификационные стандарты

Преимущества производительности

>32% улучшенные FOM по сравнению с OptiMOSTM 5

Улучшенная производительность переключения по сравнению с OptiMOSTM 5

Легкая интеграция и реализация

Характеристики диодов мягкого корпуса

Устойчивая и надежная эксплуатационная производительность

Целевые приложения

Решения для центров обработки данных и центров обработки данных ИИ Телекоммуникационная инфраструктура Фотоэлектрические системы Промышленный и потребительский BMS Серверные энергоблок (PSU)

Дополнительные электронные компоненты

Номер части	Пакет
CYPD727268LQXQ	VQFN-68
IMBG65R040M2H	ТО263-7
IMBG65R050M2H	ТО263-7
BTG7007A1EPW	TSDSO-14
CY8C4147AZES565	64-TQFP
CY8C4147AZSS595	64-TQFP
CY8C4147LDES573	48-QFN
CY8C4147LDSS583	48-QFN
CY8C4148AZAS558	100-LQFP
CY8C4148AZAS568	100-LQFP
CY8C4148AZAS595	64-TQFP
CY8C4148AZES545	64-LQFP
CY8C4148AZSS595	64-TQFP
CY8C4149AZAS555	64-LQFP
CY8C4149AZAS558	100-LQFP
CY8C4149AZES548	100-LQFP
CY8C4149AZSS555	64-LQFP
CY8C4149LDAS563	48-QFN
CY8C4149LDES543	48-QFN
CY8C4149LDES553	48-QFN
Условия содержания:	PG-TDSON-8
IMW65R020M2H	PG-TO247-3
IMZA75R027M1H	PG-TO247-4-3
IMZA75R090M1H	PG-TO247-4-3
IPD30N10S3L34	PG-TO252-3-11
IPTC026N12NM6	PG-HDSOP-16
IQE057N10NM6CG	PG-TTFN-9
IR38060MGM18TRP	QFN-26
IRF7380TRPBF	SOIC-8
CYT2BL8CAAQ1AZEGST	176-LQFP

Часто задаваемые вопросы

Ваши изделия оригинальные?

Да, все товары оригинальные, новый импорт - наш основной бизнес.

Какие у вас сертификаты?

Мы сертифицированная компания ISO 9001:2015 и член ERAI.

Вы можете поддержать небольшое количество заказов или образцы? Образец бесплатный?

Да, мы поддерживаем заказы на образцы и покупки небольших количеств. Стоимость образца варьируется в зависимости от требований вашего заказа или спецификаций проекта.

Как отправить мой заказ?

Мы используем экспресс-перевозчиков, включая DHL, FedEx, UPS, TNT и EMS. Мы также можем использовать ваш предпочтительный экспедитор. Продукты профессионально упакованы для обеспечения безопасности,и мы несем ответственность за любые повреждения продукта во время доставки.

А как насчет времени?

Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Для предметов, не находящихся на складе, мы подтвердим время доставки на основе ваших требований к количеству заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

ISC019N08NM7 Чип интегральной схемы 80V 209A 1.9mOhm OptiMOSTM 7 N-Channel Power MOSFET Транзистор

ISC019N08NM7 Чип интегральной схемы 80V 209A 1.9mOhm OptiMOSTM 7 N-Channel Power MOSFET Транзистор

ISC019N08NM7 Чип интегральной схемы 80V 209A 1.9mOhm OptiMOSTM 7 N-Channel Power MOSFET Транзистор

80 В силовой МОП-транзистор

Интегральная микросхема 209А

1

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,