Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

ISC024N08NM7 Чип интегральной схемы OptiMOSTM 7 Power MOSFET с сопротивлением источника оттока 2,4 мΩ напряжением отключения 80 В и током оттока 167 А

Name: ISC024N08NM7 Чип интегральной схемы OptiMOSTM 7 Power MOSFET с сопротивлением источника оттока 2,4 мΩ напряжением отключения 80 В и током оттока 167 А
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: ISC024N08NM7
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21274)

BT IC
(558)

Автомобильные модули IGBT
(2226)

Микроконтроллер MCU
(14929)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1304)

Вентильная матрица поля Programmable
(7008)

ИС Ethernet
(1075)

Коннекторы
(3512)

Микросхема памяти
(2616)

Датчик IC
(2515)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3749)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(9624)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

ISC024N08NM7 Чип интегральной схемы OptiMOSTM 7 Power MOSFET с сопротивлением источника оттока 2,4 мΩ напряжением отключения 80 В и током оттока 167 А

Большие изображения : ISC024N08NM7 Чип интегральной схемы OptiMOSTM 7 Power MOSFET с сопротивлением источника оттока 2,4 мΩ напряжением отключения 80 В и током оттока 167 А

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	ISC024N08NM7

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	PG-TDSON-8
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

ISC024N08NM7 Чип интегральной схемы OptiMOSTM 7 Power MOSFET с сопротивлением источника оттока 2,4 мΩ напряжением отключения 80 В и током оттока 167 А

Описание

Номер детали:	ISC024N08NM7	Полярность транзистора::	N-канал
Количество каналов::	1 канал	Vds – напряжение пробоя сток-исток::	80 В
Id — непрерывный ток стока::	167 a	Rds On – сопротивление сток-исток::	2,4 mOhms
Выделить:	Силовой МОП-транзистор с сопротивлением сток-исток 2 , 4 мОм , Интегральная микросхема с напряжением пробоя сток-исток 80 В

ISC024N08NM7 Чип интегральной схемы 2.4mΩ OptiMOSTM 7 N-Channel Power MOSFET транзисторы

ISC024N08NM7 OptiMOSTM 7 80 V - это новейшая технология, устанавливающая новый отраслевой стандарт для идеального баланса энергоэффективности и производительности с эффективностью затрат.

Технические спецификации

Параметр	Стоимость
Тип FET	N-канал
Технологии	MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss)	80 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C	24A (Ta), 167A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено)	7В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 мОм @ 50А, 10В
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs	64 nC @ 10 В
Vgs (макс.)	± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds	4600 pF @ 40 В
Рассеивание энергии (макс.)	3 Вт (Ta), 150 Вт (Tc)
Операционная температура	-55°C ~ 175°C

Ключевые особенности

Технология высокопроизводительного кремния
Движение ворот на нормальном уровне
175°C
Промышленная квалификация

Преимущества производительности

>32% улучшенные FOM по сравнению с OptiMOSTM 5
Улучшенная производительность переключения по сравнению с OptiMOSTM 5
Легкость использования
Диод мягкого корпуса
Надежная производительность

Заявления

Возобновляемая энергия
Фотоэлектрическая
Управление двигателем
Преобразование мощности постоянного тока в постоянный ток

Сопутствующие электронные компоненты на складе

Номер части	Пакет
DF900R12IP4DPB60	Модуль
FF900R17ME7WB11	Модуль
ASP2100MNTXG	QFN-56
NCP1343FNAAABCD1R2G	10-SOP
NCP81520RMNTXG	QFN-52
NCP81523MNTXG	52-VFQFN
NCP13992AKDR2G	16-SOIC
NCP13992ANDR2G	16-SOIC
NCP13992CADR2G	16-SOIC
ASP2100RMNTXG	QFN-56
NCP81520MNTXG	48-VFQFN
NCP81283MNTXG	QFN-40
NCV21914DTBR2G	14-TSSOP
NCV20072DMR2G	8-MSOP
NCP45780IMN24RTWG	12-DFN
NIV3071MTW3TWG	16-WQFN
NIS3071MT4TWG	16-WQFN
NIS3071MT3TWG	16-WQFN
NIV3071MTW4TWG	16-WQFN
SNXH75M65L3F2STG	Модуль
FPF2188UCX	WLCSP-6
NFAQ1060L36T	38-PowerDIP
NFAM3512L7B	39-PowerDIP
NFAM2512L7B	39-PowerDIP
NXH350N100H4Q2F2S1G-R	Модуль
NXH350N100H4Q2F2P1G-R	Модуль
NFAM1512L7B	39-PowerDIP
NXH450B100H4Q2F2PG-R	Модуль
NXH300N95H4Q2F2SG	Модуль
NXH200B100H4F2SG-R	Модуль

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Ваши изделия оригинальные?

О: Да, все продукты оригинальные, новый оригинальный импорт - наша цель.

Вопрос: Какие у вас сертификаты?

О: Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и являемся членом ERAI.

Вопрос: Вы можете поддержать небольшое количество заказа или образцы?

О: Да, мы поддерживаем заказ образца и небольшой заказ. Стоимость образца отличается в зависимости от вашего заказа или проекта.

Вопрос: Как отправить мой заказ?

A: Мы используем экспресс для отправки, такие как DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор.Продукты будут в хорошей упаковке и обеспечить безопасность и мы несем ответственность за повреждение продукта на ваш заказ.

Вопрос: Как насчет сроков?

A: Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Если нет запаса, мы подтвердим время доставки для вас на основе количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

ISC024N08NM7 Чип интегральной схемы OptiMOSTM 7 Power MOSFET с сопротивлением источника оттока 2,4 мΩ напряжением отключения 80 В и током оттока 167 А

ISC024N08NM7 Чип интегральной схемы OptiMOSTM 7 Power MOSFET с сопротивлением источника оттока 2,4 мΩ напряжением отключения 80 В и током оттока 167 А

ISC024N08NM7 Чип интегральной схемы OptiMOSTM 7 Power MOSFET с сопротивлением источника оттока 2,4 мΩ напряжением отключения 80 В и током оттока 167 А

Силовой МОП-транзистор с сопротивлением сток-исток 2

4 мОм

Интегральная микросхема с напряжением пробоя сток-исток 80 В

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,