Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

ISC040N10NM7 Чип интегральной схемы 100В 130А 4мОмм OptiMOSTM 7 N-канальный мощный MOSFET транзистор

Name: ISC040N10NM7 Чип интегральной схемы 100В 130А 4мОмм OptiMOSTM 7 N-канальный мощный MOSFET транзистор
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: ISC040N10NM7
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21274)

BT IC
(558)

Автомобильные модули IGBT
(2226)

Микроконтроллер MCU
(14929)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1304)

Вентильная матрица поля Programmable
(7008)

ИС Ethernet
(1075)

Коннекторы
(3512)

Микросхема памяти
(2616)

Датчик IC
(2515)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3749)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(9624)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

ISC040N10NM7 Чип интегральной схемы 100В 130А 4мОмм OptiMOSTM 7 N-канальный мощный MOSFET транзистор

Большие изображения : ISC040N10NM7 Чип интегральной схемы 100В 130А 4мОмм OptiMOSTM 7 N-канальный мощный MOSFET транзистор

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	ISC040N10NM7

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	PG-TDSON-8
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

ISC040N10NM7 Чип интегральной схемы 100В 130А 4мОмм OptiMOSTM 7 N-канальный мощный MOSFET транзистор

Описание

Номер детали:	ISC040N10NM7	Полярность транзистора::	N-канал
Количество каналов::	1 канал	Vds – напряжение пробоя сток-исток::	100 В
Id — непрерывный ток стока::	130 a	Rds On – сопротивление сток-исток::	4 мОмм
Выделить:	Чип интегральной схемы 100 В , Силовой МОП-транзистор 130 А , N-канальный транзистор 4 мОм

Чип интегральной схемы ISC040N10NM7 - 100В 18А OptiMOSTM 7 N-канальных мощных MOSFET транзисторов

ISC040N10NM7 OptiMOSTM 7 100V представляет собой новейшую технологию в мощности MOSFET транзисторов, устанавливая новый отраслевой стандарт для идеального баланса энергоэффективности, производительности,и эффективности затратЭтот продвинутый компонент обеспечивает более чем на 32% улучшенный показатель заслуг (FOM) по сравнению с OptiMOSTM 5 в упаковке SuperSO8.

Ключевые преимущества

Улучшенная производительность переключения по сравнению с OptiMOSTM 5

Высокая простота использования с более мягким диодом корпуса

Улучшенная энергоэффективность и тепловое управление

Устойчивые и надежные промышленные показатели

Технические спецификации

Параметр	Спецификация
Тип FET	N-канал
Технологии	MOSFET (оксид металла)
Напряжение отхода к источнику (Vdss)	100 В
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено)	7В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 50A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.2В @ 66μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs	51 nC @ 10 В
Vgs (макс.)	± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds	3600 pF @ 50 В
Рассеивание энергии (макс.)	3 Вт (Ta), 150 Вт (Tc)
Операционная температура	-55°C ~ 175°C

Характеристики продукта

Технология высокопроизводительного кремния
Совместимость с нормальным уровнем привода ворот
Максимальная номинальная рабочая температура 175°C
Промышленные квалификационные стандарты

Основные применения

Фотоэлектрические системы и преобразование солнечной энергии
Системы управления и привода двигателя
Схемы преобразования мощности постоянного тока в постоянный ток
Промышленные системы управления электроэнергией

Сопутствующие компоненты на складе

Номер части	Пакет
TPS26632RGER	24-VFQFN
TPS259822LNRGER	24-VFQFN
TPS259822ONRGER	24-VFQFN
TPS259824ONRGER	24-VFQFN
TPS259827ONRGER	24-VFQFN
TPS259827LNRGER	24-VFQFN
TPS259520DSGR	8-WFDFN
TPS259531DSGR	8-WFDFN
TPS259630DDAR	8-PowerSOIC
LM74502HQDDFRQ1	SOT-23-8
TPS26630RGER	24-VFQFN
TPS26633RGER	24-VFQFN
STL26NM60N	8-PowerVDFN
STH410N4F7-6AG	H2PAK-6
STO67N60DM6	8-PowerSFN
STL210N4LF7AG	8-PowerVDFN
STO36N60M6	8-PowerSFN
SCTH100N65G2-7AG	H2PAK-7
STH30N65DM6-7AG	H2PAK-7
STL125N8F7AG	8-PowerVDFN
STB36N60M6	D2PAK
STHU47N60DM6AG	HU3PAK
STHU36N60DM6AG	HU3PAK
STB33N60DM2	D2PAK
STD80N450K6	TO-252
STO33N60M6	8-PowerSFN
STB45N60DM2AG	D2PAK
STB33N60DM6	D2PAK
STO67N60M6	8-PowerSFN
STL33N60DM6	8-PowerVDFN

Часто задаваемые вопросы

Ваши изделия оригинальные?

Да, все продукты оригинальные. Покупка новых оригинальных импортных компонентов является нашей основной целью.

Какие у вас сертификаты?

Мы сертифицированная компания по стандарту ISO 9001:2015 и активный член ERAI (Международная ассоциация электронных реселлеров).

Вы можете принять небольшие заказы или образцы?

Да, мы поддерживаем заказы на образцы и требования к небольшому количеству.

Как вы отправляете заказы?

Мы используем крупные экспресс-перевозчики, включая DHL, FedEx, UPS, TNT и EMS. Мы также можем использовать ваш предпочтительный экспедитор. Все продукты получают профессиональную упаковку для обеспечения безопасности,и мы несем ответственность за любые повреждения продукта во время доставки.

Сколько у вас времени?

Мы отправляем запасные части в течение 5 рабочих дней. Для товаров, не находящихся на складе, мы подтвердим время доставки на основе вашего конкретного количества заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

ISC040N10NM7 Чип интегральной схемы 100В 130А 4мОмм OptiMOSTM 7 N-канальный мощный MOSFET транзистор

ISC040N10NM7 Чип интегральной схемы 100В 130А 4мОмм OptiMOSTM 7 N-канальный мощный MOSFET транзистор

ISC040N10NM7 Чип интегральной схемы 100В 130А 4мОмм OptiMOSTM 7 N-канальный мощный MOSFET транзистор

Чип интегральной схемы 100 В

Силовой МОП-транзистор 130 А

N-канальный транзистор 4 мОм

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,