Главная страница Продукция Обломок интегральной схемаы

ISZ053N08NM6 Мощный MOSFET с технологией N-Channel OptiMOSTM 6

Name: ISZ053N08NM6 Мощный MOSFET с технологией N-Channel OptiMOSTM 6
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: ИСЗ053Н08НМ6
Availability: InStock

Все продукты

Обломок интегральной схемаы
(21274)

BT IC
(558)

Автомобильные модули IGBT
(2226)

Микроконтроллер MCU
(14929)

GaN IC
(166)

Чип процессора ИИ
(1304)

Вентильная матрица поля Programmable
(7008)

ИС Ethernet
(1075)

Коннекторы
(3512)

Микросхема памяти
(2616)

Датчик IC
(2515)

IoT-чип
(244)

5G-модуль
(160)

Обломок WIFI
(153)

Обломок Iphone IC
(54)

Беспроводной модуль связи
(3749)

Термостат регулятора температуры
(11)

Врезанные решения
(9624)

Самые лучшие продукты

CYPD6227-96BZXI Integrated Circuit Chip Dual Port USB Type-C Controller IC VFBGA96 Включенная схема с двумя портами

MC33984CHFKR2 Комплексные микросхемы Чипные драйверы IC

MCZ33905DD5EKR2 Система интегральных микросхем с высокоскоростными CAN и LIN

Сертификация

Китай ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Сертификаты

Просмотрения клиента

Грузил очень быстро, и очень полезный, новый и первоначальный, сильно порекомендовал.

—— Нишикава из Японии

Профессиональное и быстрое обслуживание, приемлемые цены для товаров. превосходное сообщение, продукт как и ожидалось. Я сильно рекомендую этому поставщику.

—— Луис из Соединенных Штатов

Высокое качество и надежная производительность: "Электронные компоненты, которые мы получили от [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.], имеют высокое качество и показали надежную производительность наших устройств".

—— Ричард из Германии

Конкурентоспособные цены: Цены, предлагаемые компанией "Supplier", очень конкурентоспособны, что делает их отличным выбором для наших потребностей в закупках.

—— Тим из Малайзии

Обслуживание клиентов отличное, они всегда отзывчивы и полезны, обеспечивая своевременное удовлетворение наших потребностей.

—— Винсент из России

Отличные цены, быстрая доставка и отличное обслуживание клиентов.

—— Нишикава из Японии

Надежные компоненты, быстрая доставка и отличная поддержка.

—— Сэм из Соединенных Штатов

Высококачественные детали и бесшовный процесс заказа.

—— Лина из Германии

Оставьте нам сообщение

ISZ053N08NM6 Мощный MOSFET с технологией N-Channel OptiMOSTM 6

Большие изображения : ISZ053N08NM6 Мощный MOSFET с технологией N-Channel OptiMOSTM 6

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	Original Factory
Сертификация:	Lead free / RoHS Compliant
Номер модели:	ИСЗ053Н08НМ6

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	10
Цена:	Contact for Sample
Упаковывая детали:	PG-TSDSON-8
Время доставки:	5-8 рабочих дней
Условия оплаты:	Т/Т,Л/К,Вестерн Юнион

контакт

ISZ053N08NM6 Мощный MOSFET с технологией N-Channel OptiMOSTM 6

Описание

Номер детали:	ИСЗ053Н08НМ6	Тип полевого транзистора:	N-канал
Технология:	МОП-транзистор (оксид металла)	Напряжение стока к источнику (Vdss):	80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:	14,2 А (Та), 90 А (Тс)	Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):	8V, 10V
Выделить:	Силовой МОП-транзистор от стока 80 В до источника напряжения , Транзистор MOSFET N-канала , Интегральная микросхема с технологией OptiMOS™ 6

ISZ053N08NM6 Чип интегральной схемы OptiMOSTM 6 80V Транзисторы N-канального питания MOSFET

Обзор продукции

ISZ053N08NM6 OptiMOSTM 6 80V представляет собой новейшую технологию MOSFET мощности, устанавливающую новые отраслевые показатели производительности с всеобъемлющим портфелем предложений.Передовая технология тонких пластин Infineon позволяет значительно улучшить производительность, в том числе >28% меньше RDS ((on) и ~40% улучшенные FOM в упаковках PQFN 3.3x3.3.

Улучшение производительности облегчает термическую конструкцию и снижает требования к параллелизации, что приводит к более высокой эффективности системы, увеличению плотности мощности и снижению общей стоимости системы.Семейство OptiMOSTM 6 80V от Infineon идеально подходит для высокочастотных переключательных приложений, включая телекоммуникации, серверов и солнечных систем, и благодаря улучшениям производительности, также могут быть использованы в батарейных приложениях и системах управления батареями (BMS).

Технические спецификации

Параметр	Стоимость
Напряжение отхода к источнику (Vdss)	80 В
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C	14.2A (Ta), 90A (Tc)
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено)	8В, 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3mOhm @ 20A, 10В
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5В @ 36μA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs	25 nC @ 10 В
Vgs (макс.)	± 20 В
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 40 В
Рассеивание энергии (макс.)	2.5 Вт (Ta), 100 Вт (Tc)
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Ключевые особенности

Результаты сравнительной оценки
RDS ((on) варианты оптимального соотношения затрат/эффективности
Промышленные стандартные пакеты
Движение ворот на нормальном уровне
175°C
Промышленная квалификация

Преимущества производительности

Более низкие потери проводимости, чем OptiMOSTM 5
Более низкие потери переключения, чем OptiMOSTM 5
Широкий портфель для гибкой цепочки поставок
Ложное воздействие иммунитета
Улучшенная мощность, SOA и лавинный ток
Надежная производительность

Сопутствующие компоненты на складе

Номер части	Пакет
STO47N60M6	8-PowerSFN
SCT060HU75G3AG	HU3PAK
STH60N099DM9-2AG	H2PAK-2
TSB182IYST	8-MiniSO
TSZ151ICT	SOT-323-5
TSB624IYPT	14-TSSOP
TSZ151IYCT	SOT-323-5
TSB514IYPT	14-TSSOP
LM2902BYPT	14-TSSOP
TSL6002IST	8-MiniSO
TSB512IDT	8-SOIC
TSB622IDT	8-SOIC
TSL6202IST	8-MiniSO
LM2902YQ5T	16-QFN
LM2904BYDT	8-SOIC
LM2903BYPT	8-TSSOP
LM2904YQ6T	8-DFN
LM2903WST	8-MiniSO
TSB182IDT	8-SOIC
TSB182IYDT	8-SOIC
TSB624IDT	14-SOIC
TSB624IYDT	14-SOIC
FDA903S-6DT	32-VFQFPN
FDA803S-6DT	32-VFQFPN
LM2904HYPT	8-TSSOP
TSV794IYPT	14-TSSOP
TSV774IPT	14-TSSOP
TSV794IPT	14-TSSOP
TSL6001ICT	СК-70-5
TSL6004IPT	14-TSSOP

Часто задаваемые вопросы

Ваши изделия оригинальные?

Да, все товары оригинальные.

Какие у вас сертификаты?

Мы сертифицированная компания ISO 9001:2015 и член ERAI.

Вы можете поддержать небольшое количество заказов или образцы? Образец бесплатный?

Да, мы поддерживаем заказы на образцы и небольшие заказы. Стоимость образца варьируется в зависимости от вашего заказа или требований проекта.

Как отправить мой заказ?

Мы используем экспресс-перевозчиков, таких как DHL, FedEx, UPS, TNT и EMS. Мы также можем использовать ваш предложенный экспедитор. Продукты тщательно упаковываются, чтобы обеспечить безопасность,и мы несем ответственность за любые повреждения продукта в вашем заказе.

А как насчет времени?

Мы можем отправить запасные части в течение 5 рабочих дней. Для предметов, которые не находятся на складе, мы подтвердим время доставки на основе количества вашего заказа.

тег:

Контактное лицо: Sales Manager

Телефон: 86-13410018555

Факс: 86-0755-83957753

Другие продукты

LT8609IMSE#WTRPBF Чип интегральной схемы DC DC коммутаторы 10-TFSOP

Номер части: LT8609IMSE#WTRPBF

статус продукта: Активный

Функция: Спускающийся

Конфигурация вывода: Положительно

Регулятор IC 64-HTQFP функции батареи иона BQ79616PAPRQ1 BQ79616 лития Multi

Функция: Многофункциональный регулятор

Химия батареи: Ион лития

Количество клеток: 1

Предохранение от недостатка: Над температурой

USB3.2 10Gbps интегрировало обломоки TUSB1002ARGER двойные - канал линейное Redriver QFN24

номер части: TUSB1002ARGER

Товар: USB-редрайверы

Скорость передачи данных: 10 Гбит/с

скорость: Супер скорость (СС)

Усилитель TAS5805 HTSSOP28 класса d обломока TAS5805MPWPR интегральной схемаы Closedloop

номер части: TAS5805MPWPR

Напряжение питания - мин.: 3 В

Напряжение питания - макс.: 3,6 В

Рабочая температура (мин): -25°С

Регулятор прекращения тарифа данным по обломоков IC NCP51200MNTXG Ic регулятора напряжения тока NCP51200

номер части: NCP51200MNTXG

Количество выходов: 1

Напряжение - Выход: 0,5 В ~ 1,8 В

Напряжение - Вход: 2,375 В ~ 3,5 В

ISZ053N08NM6 Мощный MOSFET с технологией N-Channel OptiMOSTM 6

ISZ053N08NM6 Мощный MOSFET с технологией N-Channel OptiMOSTM 6

ISZ053N08NM6 Мощный MOSFET с технологией N-Channel OptiMOSTM 6

Силовой МОП-транзистор от стока 80 В до источника напряжения

Транзистор MOSFET N-канала

Интегральная микросхема с технологией OptiMOS™ 6

Обломок 24-PQFN интегральной схемаы,

TUSB1002ARGER удваивают - канал линейный,